【技术实现步骤摘要】
处理衬底的装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月17日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0071561的韩国申请的优先权，其全部内容通过参引的方式结合在本文中。
各种实施例总体而言可以涉及处理衬底的装置和方法，更具体地，涉及能够控制反应管中的冷却速度和温度均匀性的处理衬底的装置和方法。
技术介绍
半导体制造过程可以包括通过化学气相沉积(CVD)工艺来处理衬底以在衬底上形成层的过程。衬底处理工艺可以包括将具有多个衬底的衬底舟皿装入反应管中，并且在真空下将反应气体供应到反应管中。在衬底处理工艺中，衬底的温度可能会升高。因此，在衬底处理工艺之后，可能需要冷却衬底舟皿以便转移衬底。可以将大气压施加至反应管。也可以将外部空气或氮气供应到反应管以冷却反应管。可以控制衬底舟皿的卸载温度。然后可以将衬底舟皿从反应管中卸载。当反应管自然冷却时，冷却时间可能很长，使得生产率水平可能下降。相反，当反应管快速冷却时，在衬底处理工艺中形成在反应管的内壁上的副产物可能产生裂纹。副产物的裂纹可能...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：/n反应管，其被配置为容纳衬底舟皿以处理衬底，在所述衬底舟皿中层叠有多个衬底；/n侧盖，其被配置为容纳所述反应管；/n加热器，其衬在所述侧盖的内部；/n第一气体供应器，其布置在所述侧盖的上部，以第一供应速率将冷却气体供应到所述侧盖与所述反应管之间的空间；/n第二气体供应器，其布置在所述侧盖的下部，以与所述第一供应率不同的第二供应率将冷却气体供应到所述空间；以及/n控制器，其被配置为控制所述反应管。/n
【技术特征摘要】
20190617 KR 10-2019-00715611.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：
反应管，其被配置为容纳衬底舟皿以处理衬底，在所述衬底舟皿中层叠有多个衬底；
侧盖，其被配置为容纳所述反应管；
加热器，其衬在所述侧盖的内部；
第一气体供应器，其布置在所述侧盖的上部，以第一供应速率将冷却气体供应到所述侧盖与所述反应管之间的空间；
第二气体供应器，其布置在所述侧盖的下部，以与所述第一供应率不同的第二供应率将冷却气体供应到所述空间；以及
控制器，其被配置为控制所述反应管。
2.根据权利要求1所述的装置，
其中，所述第一气体供应器布置在所述侧盖的上部，以所述第一供应速率将冷却气体供应到所述侧盖的上部与所述反应管的上部之间的空间；以及
所述第二气体供应器布置在所述侧盖的下部，以所述第二供应速率将冷却气体供应到所述侧盖的下部与所述反应管的下部之间的空间。
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
盖，其布置在所述侧盖上，以密封所述侧盖开口的上表面；以及
辐射式排气机，其与所述盖连接，以排放所述侧盖中的冷却气体。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，与由所述第二气体供应器供应的冷却气体量相比，所述第一气体供应器供应更大量的冷却气体。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，排气管连接到所述反应管的上部，并且所述排气管的直径大于连接至所述第一气体供应器和所述第二气体供应器的气体供应管的直径。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述反应管被划分为多个竖直布置的区域，并且所述加热器被划分为与多个所述区域相对应的多个加热构件。
7.根据权利要求6所述的装置，其进一步包括温度传感器，其被配置测量所述区域的温度。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述温度传感器包括：
第一温度检测构件，其布置在所述反应管中，以测量所述区域的温度；以及
第二温度检测构件，其布置在所述反应管与所述加热器之间，并且为每个所述区域设置所述第二温度检测构件。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述控制器从所述温度传感器接收测量的温度，以基于测量的温度独立地控制所述加热构件。
10.根据权利要求6所述的装置，其中，每个所述加热构件具有环形形状，被配置为围绕所述反应管，并且多个气体供应孔沿着所述加热构件的周向布置在所述加热构件之间并且彼此间隔开均匀的间隙。
11.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑珉珍，金泰焕，姜民雄，刘炫准，姜盛皓，朴松焕，金甫宣，李弘源，赵柱铉，晋龙铎，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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