处理方法及处理组件技术

本发明专利技术提供一种研磨装置及处理方法，抛光处理装置及方法，能够使处理对象物的处理速度提高且使处理对象物的面内均一性提高。抛光处理构件(350)具备：头，安装有用于通过与晶片(W)接触并进行相对运动从而对晶片(W)进行规定的处理的抛光垫；以及抛光臂(600‑1、600‑2)，用于对头进行保持。头包含：安装有比晶片(W)直径小的第一抛光垫(502‑1)的第一抛光头(500‑1)；以及安装有比第一抛光垫(502‑1)直径小的第二抛光垫(502‑2)的与第一抛光头(500‑1)不同的第二抛光头(500‑2)。

【技术实现步骤摘要】
处理方法及处理组件本申请是下述专利申请的分案申请：申请号：201510640665.3申请日：2015年9月30日专利技术名称：研磨装置及处理方法
本专利技术涉及一种基板处理装置及处理方法。另外，本专利技术涉及一种处理构件、处理组件及处理方法。另外，本专利技术涉及一种研磨装置及处理方法。另外，本专利技术涉及一种抛光处理装置及方法。
技术介绍
近年来，用于对处理对象物(例如半导体晶片等基板或形成于基板的表面的各种膜)进行各种处理的处理装置被使用。作为处理装置的一例，例举用于进行处理对象物的研磨处理等的CMP(化学机械研磨)装置。CMP装置具备用于进行处理对象物的研磨处理的研磨单元、用于进行处理对象物的清洗处理及干燥处理的清洗单元，以及，向研磨单元交接处理对象物并接收由清洗单元作清洗处理及干燥处理后的处理对象物的装载/卸载单元等。另外，CMP装置具备在研磨单元、清洗单元及装载/卸载单元内进行处理对象物的搬运的搬运机构。CMP装置一边通过搬运机构搬运处理对象物，一边依次进行研磨、清洗及干燥的各种处理。另本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理方法，用于对处理对象物进行处理，其特征在于，/n具有对所述处理对象物进行抛光处理的抛光处理工序，/n所述抛光处理工序具有：/n将所述处理对象物保持在抛光台上的工序；/n使保持有所述处理对象物的所述抛光台旋转的工序；/n使抛光部件与所述处理对象物接触的工序；/n向所述处理对象物的表面供给抛光处理液的工序；/n在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件旋转的工序；以及/n在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件在所述处理对象物的表面上移动的工序，/n所述处理方法具有在抛光处理中对处理条件中的至少一个进行变更的工序，所述处理条件包含：所述抛光部件相对于所述处...

【技术特征摘要】
20141003 JP 2014-204739;20141009 JP 2014-207872;201.一种处理方法，用于对处理对象物进行处理，其特征在于，
具有对所述处理对象物进行抛光处理的抛光处理工序，
所述抛光处理工序具有：
将所述处理对象物保持在抛光台上的工序；
使保持有所述处理对象物的所述抛光台旋转的工序；
使抛光部件与所述处理对象物接触的工序；
向所述处理对象物的表面供给抛光处理液的工序；
在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件旋转的工序；以及
在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件在所述处理对象物的表面上移动的工序，
所述处理方法具有在抛光处理中对处理条件中的至少一个进行变更的工序，所述处理条件包含：所述抛光部件相对于所述处理对象物的接触压力、所述抛光部件的旋转速度、所述抛光台的旋转速度、以及所述抛光部件在所述处理对象物的表面上的移动速度。


2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，具有：
使所述抛光部件以第一接触压力与所述处理对象物接触来进行抛光处理的工序；以及
使所述抛光部件以第二接触压力与所述处理对象物接触来进行抛光处理的工序，
所述第一接触压力大于所述第二接触压力。


3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，具有：
在第一处理条件下进行第一抛光处理的工序；
在所述第一抛光处理之后，在第二处理条件下进行第二抛光处理的工序；以及
在所述第二抛光处理之后，在第三处理条件下进行第三抛光处理的工序，
所述第二处理条件下的所述抛光部件的接触压力和所述抛光部件的旋转速度中的至少一方大于所述第一处理条件和所述第三处理条件下的所述抛光部件的接触压力和所述抛光部件的旋转速度。


4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
还具有从所述处理对象物冲洗去除抛光处理液的工序。


5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，
冲洗去除所述抛光处理液的工序具有向所述处理对象物的表面供给纯水或清洗药液的工序。


6.根据根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，
冲洗去除所述抛光处理液的工序具有：
使保持有所述处理对象物的所述抛光台旋转的工序；
使抛光部件与所述处理对象物接触的工序；
在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件旋转的工序；以及
在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件在所述处理对象物的表面上移动的工序，
在与进行所述抛光处理的处理条件不同的条件下进行冲洗去除所述抛光处理液的工序。


7.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，
具有从所述处理对象物冲洗去除抛光处理液的工序，
冲洗去除所述抛光处理液的工序具有向所述处理对象物的表面供给纯水或清洗药液的工序，
冲洗去除所述抛光处理液的工序具有：
使保持有所述处理对象物的所述抛光台旋转的工序；
使抛光部件与所述处理对象物接触的工序；
在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件旋转的工序；以及
在所述抛光部件与所述处理对象物接触的状态下使所述抛光部件在所述处理对象物的表面上移动的工序，
在与进行所述抛光处理的处理条件不同的条件下进行冲洗去除所述抛光处理液的工序，
冲洗去除所述抛光处理液的工序中的所述抛光部件对所述处理对象物的接触压力比所述第二处理条件下的所述抛光部件对所述处理对象物的接触压力小。


8.一种处理组件，其特征在于，具备：
头，该头安装有垫，该垫用于通过与处理对象物接触并进行相对运动从而对所述处理对象物进行规定的处理；以及
臂，该臂用于对所述头进行保持，
所述头包含：安装有比所述处理对象物直径小的第一垫的第一头；以及安装有比所述第一垫直径小的第二垫的、与所述第一头不同的第二头，
所述臂具备第一臂以及与所述第一臂不同的第二臂，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口都章，水野稔夫，小畠严贵，宫崎充，丰村直树，井上拓也，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP