黑色矩阵布局方法技术

本发明专利技术公开了一种黑色矩阵布局方法，其是于矩形画素周边形成一框形的黑色矩阵，并以二条状之黑色矩阵布设于矩形的画素中，而将画素区分为三个面积相当的子画素区域，两条黑色矩阵是垂直相接，且分别平行于矩形画素之长边与短边，而垂直于短边之黑色矩阵的长度是小于矩形的短边边长，本发明专利技术可有效减少黑色矩阵的总长度来提高开口率，且兼具制造成本低廉以及显示效果佳之功效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种显示器用的彩色滤光膜的
属于领域，尤指一种能提高子像素的开口率的。
技术介绍
按，黑色矩阵是设置在彩色滤光膜的各画素中，其主要功能是用来防止各子画素R、G、B的彩色光阻混色，以提高子画素R、G、B颜色对比值，一般来说，黑色矩阵面积愈小，子画素的开口率就愈高，而能使显示器的透光率越高，进而使整体画面显示品质更佳。传统的彩色滤光膜的画素结构是如图3所示，每个画素8均由红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色之子画素81、82、83组成，各子画素81、82、83中均设有一电极84、85、86，且于各子画素81、82、83周边分别设置一黑色矩阵9。在画素8结构中，电极84、85、86与黑色矩阵9会占用各子画素81、82、83一定的面积，扣除这些被占用的面积后所留下的部份即为各子画素81、82、83的开口率，以一个尺寸为269um×269um的画素为例，黑色矩阵9的宽度约为20um，因此子画素的长度均为229um，宽度均为63um，亦即位于画素中的两条黑色矩阵的长度均为229um，一般而言，前述的画素8结构其开口率约仅有40％左右，但因电极84、85、86的占用面积不易改变，以及黑色矩阵9之宽度不易再缩减，因此业界欲增加开口率的方式便只能以黑色矩阵的布局方式来改进。请参阅图4A与图4B，其是一种现有的三层式画素结构，其主要是于用三层薄膜71、72、73上分别设置红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的彩色光阻形成子画素74、75、76，各子画素74、75、76中均设有一电极77、78、79，且于各薄膜71、72、73之两侧边上设置黑色矩阵9，而后将三层薄膜71、72、73对位重叠，而形成一个画素7，如图4B所示。如此之黑色矩阵布局方式确实有效减少了黑色矩阵之占用面积，而将开口率提升至60％左右，以中小尺寸模组为例，由于各子画素74、75、76之宽度一般仅约60um左右，黑色矩阵9的宽度更仅在20um左右，因此存在着三层薄膜71、72、73对位不易精准的问题，再者，此一方式需耗用近三倍之工时、材料，其制作成本高昂，因此仍有加以改进之必要。此外，各画素中的子画素是并行排列，因此由多数画素组成的画面中相同颜色的子画素会列在同一行中，如图5所示，这么一来，在显示影像时便有产生线条空间响应之条状感，而影响了画面的细致度，如图6B所示的图片所示。故而，前述的黑色矩阵布局方式实有再加以改进的必要，以期能兼顾开口率、制造成本以及显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于改进现有技术中的不足，提供一种，其可以得到较大的开口率且制造成本较低、制作简单方便。本专利技术提供的是以二条垂直相接的黑色矩阵布设于矩形的画素中，以将矩形画素区分为三个面积相等的矩形子画素区域，且两条黑色矩阵的长度均不大于矩形的短边边长，而可有效减少黑色矩阵的总长度，以达到提高开口率的功效。一种，其是于矩形画素周边形成一框形的黑色矩阵，并以二直条状的黑色矩阵布设于矩形的画素中，而将画素区分为三个子画素区域，两条黑色矩阵是分别以平行于矩形画素的长边与短边的形态设置，且两条黑色矩阵是垂直相接，并且垂直于短边之黑色矩阵的长度是小于短边边长。为达前述之目的，本专利技术的是以二直条状的黑色矩阵布设于矩形的画素中，将画素区分为三个面积相等的子画素区域，两条黑色矩阵是分别以平行于矩形画素之长边与短边的形态设置，且两条黑色矩阵是垂直相接，并且两条黑色矩阵之长度均不大于矩形之短边边长。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步说明。图1是本专利技术的黑色矩阵布局态样示意图；图2是以本专利技术的方法布局后的画素所组成的画面中各颜色的子画素分布的态样示意图；图3是现有的一种画素的结构示意4A是现有的另一种三层式画素的各层薄膜结构示意图；图4B是现有的三层式画素的结构示意图；图5是现有的画素所组成的画面中各颜色的子画素分布的态样示意图；图6A是使用本专利技术的显示的影像的图片； 图6B是使用现有的显示的影像的图片。具体实施例方式请参阅图1及图2，本实施例的，其是于矩形画素1周边形成一框形的黑色矩阵F，并以二直条状的黑色矩阵V、L布设于矩形的画素1中，而将矩形画素1区分为三个面积相当的子画素区域R、G、B，两条黑色矩阵V、L是分别以平行于矩形画素1的长边B与短边A的形态设置，且两条黑色矩阵V、L是垂直相接，并且两条黑色矩阵V、L之长度均不大于矩形之短边A边长。而其中之子画素区域R、G、B是分别供红、蓝、绿三种颜色之光阻设置，且各子画素区域R、G、B中分别设有一电极11、12、13。由于两条黑色矩阵V、L之长度均不大于矩形之短边A边长，可以数学式表示为(V+L)＜2A，亦即本专利技术中两条黑色矩阵V、L之中的L总长度必小于短边A边长。以一个尺寸为269um×269um之画素为例，黑色矩阵9之宽度均为20um，则黑色矩阵V之长度约为229um，而为使三个子画素R、G、B的面积相当，子画素R之宽度约为65.5um，换言之，黑色矩阵L的长度仅约143.5um，扣除周边相同大小的框形黑色矩阵不计，与先前技术比较，图3中所示之二条黑色矩阵长度均为229um，总长度达458um，本专利技术之黑色矩阵的总长度仅372.5um，黑色矩阵的长度减少约19％，而减少的部份即为开口率增加的部份，而可到提高开口率的效用。再者，本专利技术的制造成本低廉，且无三层式薄膜的先前技术中存在对位困难的问题。请参阅图2，以本专利技术的制成的画素1中子画素区域R、G、B约呈三角形的排列，因此由多数画素排列组成的画面在显示影像时可改善传统线条空间响应之条状感，而使画面的细致度得以提升，如图6A所示的图片所示。整体而言，本专利技术的确实可缩短黑色矩阵的总长度，使黑色矩阵的总面积减少，而能提高开口率，并且兼具制造成本低廉以及显示效果佳之功效。以上所述是本专利技术的具体实施例及所运用的技术原理，任何基于本专利技术技术方案基础上的等效变换，均属于本专利技术保护范围之内。权利要求1.一种，其是于矩形画素周边形成一框形的黑色矩阵，并以二直条状的黑色矩阵布设于矩形的画素中，而将画素区分为三个子画素区域，两条黑色矩阵是分别以平行于矩形画素的长边与短边的形态设置，且两条黑色矩阵是垂直相接，并且垂直于短边的黑色矩阵的长度是小于短边边长。2.依权利要求1所述的，其特征在于其中三个子画素区域的面积趋近于相同。全文摘要本专利技术公开了一种，其是于矩形画素周边形成一框形的黑色矩阵，并以二条状之黑色矩阵布设于矩形的画素中，而将画素区分为三个面积相当的子画素区域，两条黑色矩阵是垂直相接，且分别平行于矩形画素之长边与短边，而垂直于短边之黑色矩阵的长度是小于矩形的短边边长，本专利技术可有效减少黑色矩阵的总长度来提高开口率，且兼具制造成本低廉以及显示效果佳之功效。文档编号G02B5/22GK1664627SQ200510007399公开日2005年9月7日 申请日期2005年2月28日 优先权日2005年2月28日专利技术者林汉昌, 吴法震 申请人:胜华科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黑色矩阵布局方法，其是于矩形画素周边形成一框形的黑色矩阵，并以二直条状的黑色矩阵布设于矩形的画素中，而将画素区分为三个子画素区域，两条黑色矩阵是分别以平行于矩形画素的长边与短边的形态设置，且两条黑色矩阵是垂直相接，并且垂直于短边的黑色矩阵的长度是小于短边边长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉昌，吴法震，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]