【技术实现步骤摘要】
一种高纯锗探测器
本申请涉及但不限于辐射测量
，尤指一种高纯锗探测器。
技术介绍
在低质量暗物质探测、中微子散射等实验中，目标粒子在探测器内沉积的能量极低，需要有极低能量阈值的探测器，同时要降低探测器的本底。高纯锗探测器是一种锗晶体制成的核辐射探测器。高纯锗探测器的本质是一种杂质浓度非常低的PN结半导体探测器，其平均电离能很低(仅为2.96eV)，具有低本底、低能量阈值、高能量分辨、能量线性好等特点，广泛应用于伽马能谱测量和暗物质直接探测、无中微子双贝塔衰变、中微子散射、极低辐射本底测量等实验中。降低高纯锗探测器的能量阈值，能够拓展针对低能量沉积事例的探测和应用，对低质量暗物质直接探测、反应堆中微子弹性散射等低能量阈值和低本底实验也具有十分重要的价值。如何降低高纯锗探测器的能量阈值，是一个有待解决的问题。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本申请提供一种高纯锗探测器，能够降低高纯锗探测器的能量阈值。本申请提供了一种...
【技术保护点】
1.一种高纯锗探测器，包括：P型高纯锗晶体；其中，所述P型高纯锗晶体为圆柱形，一个以上端面设置有环形的保护电极，中心设置有作为电子阻挡层的中心电极，外表面除设置保护电极的区域设置有作为空穴阻挡层的外表面电极，所述中心电极和所述外表面电极为同轴电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种高纯锗探测器，包括：P型高纯锗晶体；其中，所述P型高纯锗晶体为圆柱形，一个以上端面设置有环形的保护电极，中心设置有作为电子阻挡层的中心电极，外表面除设置保护电极的区域设置有作为空穴阻挡层的外表面电极，所述中心电极和所述外表面电极为同轴电极。
2.根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述外表面电极和所述保护电极之间设置有第一预设间距的空隙；所述保护电极和所述中心电极之间设置有第二预设间距的空隙。
3.根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器还包括：与所述同轴电极连接的读出电子学，所述读出电子学设置为：读出由所述P型高纯锗晶体内的空穴和电子产生的感应电流信号的值。
4.根据权利要求3所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述读出电子学与所述同轴电极中的所述中心电极和/或所述外表面电极连接。
5.根据权利要求1～4任一...
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