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本文公开了一种高纯锗探测器，本发明实施例以P型高纯锗晶体作为主体的高纯锗探测器，通过包括中心电极和外表面电极的同轴电极形成均匀的可引起载流子倍增的强电场；基于包含电子阻挡层和空穴阻挡层的载流子阻挡层形成阻挡接触，降低载流子扩散电流；通过环形...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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