本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括上转换材料层、光感电路和位置检测电路；上转换材料层用于吸收交互光源照射的交互光线，并将交互光线的第一波段转换为第二波段，第二波段范围小于第一波段范围；光感电路设置在光线感应区内，光感电路包括光感晶体管，光感晶体管包括衬底、金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极层和源漏极层，上转换材料层设置在交互光源与金属氧化物有源层之间，第二波段范围位于金属氧化物有源层的吸收波段范围内，光感晶体管用于将交互光线的光强信号转换为电信号；位置检测电路与光感电路电性连接，用于根据电信号，确定交互光线的照射位置。本申请的显示面板实现了与波长较长的光线间的交互。
【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，具有交互功能的显示设备越来越受到关注，金属氧化物晶体管相对于传统的多晶硅晶体管具有更高的电子迁移率和稳定性，因此在现有的显示面板中得到广泛应用。然而，金属氧化物晶体管中的金属氧化物有源层具有较高的带宽，所以只对波长较短的紫外光具有吸收效应，而对可见光没有吸收，这就导致了金属氧化物晶体管不适合做可见光的光传感器，大大限制了使用金属氧化物晶体管的显示面板在可见光或近红外光方面的交互应用。因此，现有的显示面板存在可交互光线的波长范围较窄的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，用以缓解现有的显示面板可交互光线的波长范围较窄的技术问题。本申请提供一种显示面板，包括阵列设置的多个光线感应区，所述显示面板包括：上转换材料层，用于吸收交互光源照射的交互光线，并将所述交互光线的第一波段转换为第二波段，所述第二波段范围小于所述第一波段范围；光感电路，设置在所述光线感应区内，所述光感电路包括光感晶体管，所述光感晶体管包括衬底、金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极层和源漏极层，所述上转换材料层设置在所述交互光源与所述金属氧化物有源层之间，所述第二波段范围位于所述金属氧化物有源层的吸收波段范围内，所述光感晶体管用于将所述交互光线的光强信号转换为电信号；位置检测电路，与所述光感电路电性连接，用于根据所述电信号，确定所述交互光线的照射位置。>在本申请的显示面板中，所述上转换材料层包括镧系元素掺杂的上转换纳米粒子。在本申请的显示面板中，所述镧系元素掺杂的上转换纳米粒子包括NaYF4：Yb，Tm，Er，其中Yb的质量分数为25％，Tm的质量分数为0.5％，Er的质量分数为0.1％。在本申请的显示面板中，所述上转换材料层还包括聚甲基丙烯酸甲酯。在本申请的显示面板中，所述光感晶体管包括层叠设置的衬底、栅极绝缘层和源漏极层，所述栅极层和所述金属氧化物有源层中的其中一者设置在所述衬底与所述栅极绝缘层之间，另一者设置在所述栅极绝缘层与所述源漏极层之间。在本申请的显示面板中，所述上转换材料层设置在所述光感晶体管中，且位于所述金属氧化物有源层远离所述衬底的一侧。在本申请的显示面板中，所述上转换材料层设置在所述显示面板的出光面上。在本申请的显示面板中，所述金属氧化物有源层材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的至少一种。在本申请的显示面板中，所述光感电路还包括第一开关晶体管，所述光感晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述光感晶体管的第一电极与电源高电位信号线连接，所述光感晶体管的第二电极与所述第一开关晶体管的栅极连接，所述第一开关晶体管的第一电极与所述电源高电位信号线连接，所述第一开关晶体管的第二电极与电信号读取线连接，所述电信号读取线与所述位置检测电路连接。在本申请的显示面板中，所述光感电路还包括第二开关晶体管和存储电容，所述光感晶体管的栅极与扫描信号线连接，所述光感晶体管的第一电极与第一数据信号线连接，所述光感晶体管的第二电极与所述第二开关晶体管的第一电极连接，所述第二开关晶体管的栅极与第二数据信号线连接，所述第二开关晶体管的第二电极与电信号读取线连接，所述存储电容的第一极板与所述第一数据信号线连接，所述存储电容的第二极板与所述光感晶体管的第二电极连接，所述电信号读取线与所述位置检测电路连接。在本申请的显示面板中，所述位置检测电路包括积分器。在本申请的显示面板中，所述显示面板包括阵列基板，所述光感电路设置在所述阵列基板内。在本申请的显示面板中，多个所述光感电路形成光感层，所述光感层设置在所述显示面板的出光面上，且与所述显示面板电连接。在本申请的显示面板中，所述光线感应区对应一个或多个像素设置。本申请还提供一种显示装置，包括显示面板和驱动芯片，所述显示面板为上述任一项所述的显示面板。有益效果：本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括上转换材料层、光感电路和位置检测电路；上转换材料层用于吸收交互光源照射的交互光线，并将所述交互光线的第一波段转换为第二波段，所述第二波段范围小于所述第一波段范围；光感电路设置在所述光线感应区内，所述光感电路包括光感晶体管，所述光感晶体管包括衬底、金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极层和源漏极层，所述上转换材料层设置在所述交互光源与所述金属氧化物有源层之间，所述第二波段范围位于所述金属氧化物有源层的吸收波段范围内，所述光感晶体管用于将所述交互光线的光强信号转换为电信号；位置检测电路与所述光感电路电性连接，用于根据所述电信号，确定所述交互光线的照射位置。本申请通过设置上转换材料层，将交互光线由第一波段转换为金属氧化物有源层可吸收的第二波段，使得金属氧化物有源层可以将波长较长的交互光线的光强信号转换为电信号，再通过位置检测电路确定交互光线的照射位置，因此可以实现与波长较长的光线之间的交互，缓解了现有的可交互光线的波长范围较窄的技术问题。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的显示面板的平面结构示意图。图2为本申请实施例提供的显示面板中光感电路的第一种结构示意图。图3为本申请实施例提供的显示面板中光感电路的第二种结构示意图。图4为本申请实施例提供的显示面板中上转换材料层与显示面板的第一种位置示意图。图5为本申请实施例提供的显示面板中上转换材料层与显示面板的第二种位置示意图。图6为图5中结构的光线转换机理图。图7为本申请实施例提供的显示面板中金属氧化物有源层的吸收谱图。图8为不同稀土元素掺杂形成的上转换材料层的光波转换示意图。图9为本申请实施例提供的显示面板中上转换材料层的成膜过程示意图。图10为本申请实施例提供的显示面板中上转换材料层的光线转换原理示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示面板，包括阵列设置的多个光线感应区，其特征在于，所述显示面板包括：/n上转换材料层，用于吸收交互光源照射的交互光线，并将所述交互光线的第一波段转换为第二波段，所述第二波段范围小于所述第一波段范围；/n光感电路，设置在所述光线感应区内，所述光感电路包括光感晶体管，所述光感晶体管包括衬底、金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极层和源漏极层，所述上转换材料层设置在所述交互光源与所述金属氧化物有源层之间，所述第二波段范围位于所述金属氧化物有源层的吸收波段范围内，所述光感晶体管用于将所述交互光线的光强信号转换为电信号；/n位置检测电路，与所述光感电路电性连接，用于根据所述电信号，确定所述交互光线的照射位置。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括阵列设置的多个光线感应区，其特征在于，所述显示面板包括：
上转换材料层，用于吸收交互光源照射的交互光线，并将所述交互光线的第一波段转换为第二波段，所述第二波段范围小于所述第一波段范围；
光感电路，设置在所述光线感应区内，所述光感电路包括光感晶体管，所述光感晶体管包括衬底、金属氧化物有源层、栅极绝缘层、栅极层和源漏极层，所述上转换材料层设置在所述交互光源与所述金属氧化物有源层之间，所述第二波段范围位于所述金属氧化物有源层的吸收波段范围内，所述光感晶体管用于将所述交互光线的光强信号转换为电信号；
位置检测电路，与所述光感电路电性连接，用于根据所述电信号，确定所述交互光线的照射位置。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述上转换材料层包括镧系元素掺杂的上转换纳米粒子。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述镧系元素掺杂的上转换纳米粒子包括NaYF4：Yb，Tm，Er，其中Yb的质量分数为25％，Tm的质量分数为0.5％，Er的质量分数为0.1％。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述上转换材料层还包括聚甲基丙烯酸甲酯。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光感晶体管包括层叠设置的衬底、栅极绝缘层和源漏极层，所述栅极层和所述金属氧化物有源层中的其中一者设置在所述衬底与所述栅极绝缘层之间，另一者设置在所述栅极绝缘层与所述源漏极层之间。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述上转换材料层设置在所述光感晶体管中，且位于所述金属氧化物有源层远离所述衬底的一侧。
7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述上转换材料层设置在所述显示面板的出光面上。
8.如权利要求1所述的显示面...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔巍，江淼，姚江波，陈黎暄，张鑫，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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