半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片的侧壁上方并沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁设置的第一栅极间隔物、以及在第一鳍片中并相邻于第一栅极间隔物的第一源极/漏极区。第一源极/漏极区包括在第一鳍片上的第一绝缘层和在第一绝缘层上的第一外延层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开涉及一种半导体装置，特别是可以减小漏电流和减小电容的半导体装置。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置通常通过依次在半导体基板上沉积材料的绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，并且使用微影图案化各种材料层以在其上形成电路部件和元件来制造。半导体企业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子部件(例如：晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，这允许将更多的部件整合到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的减小，出现了应解决的其他问题。
技术实现思路
本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括第一鳍片、第一栅极堆叠、第一栅极间隔物以及第一源极/漏极区。第一鳍片从基板延伸。第一栅极堆叠在第一鳍片的多个侧壁上方，并且沿着第一鳍片的侧壁设置。第一栅极间隔物沿着栅极堆叠的侧壁设置。第一源极/漏极区在第一鳍片中，并且相邻于第一栅极间隔物。第一源极/漏极区包括：在第一鳍片上的第一绝缘层和在第一绝缘层上的第一外延层。本公开提供一种半导体装置的制造方法。半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一鳍片，从一基板延伸；/n一第一栅极堆叠，在上述第一鳍片的多个侧壁上方，并且沿着上述第一鳍片的上述侧壁设置；/n一第一栅极间隔物，沿着上述第一栅极堆叠的一侧壁设置；以及/n一第一源极/漏极区，在上述第一鳍片中，并且相邻于上述第一栅极间隔物，上述第一源极/漏极区包括：/n一第一绝缘层，在上述第一鳍片上；以及/n一第一外延层，在上述第一绝缘层上。/n

【技术特征摘要】
20190614 US 16/442,2161.一种半导体装置，包括：
一第一鳍片，从一基板延伸；
一第一栅极堆叠，在上述第一鳍片的多个侧壁上方，并且沿着上述第一鳍片的上述侧壁设置；

【专利技术属性】
技术研发人员：林资敬，吴卓斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71