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一种半导体装置，包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片的侧壁上方并沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁设置的第一栅极间隔物、以及在第一鳍片中并相邻于第一栅极间隔物的第一源极/漏极区。第一源极/漏极区包括在第一鳍片上的第一绝...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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