阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，所述阵列基板包括柔性基板、致密膜层、缓冲层以及有源层；所述致密膜层设于所述柔性基板上；所述缓冲层设于所述致密膜层上；所述有源层设于所述缓冲层上。本发明专利技术在第二PI基板与缓冲层之间设置致密膜层，在高温工艺中，如准分子镭射结晶过程，致密膜层可以降低外部对柔性基板的热传导，起到保护柔性基板的作用，从而提升产线良率，节约了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
目前，柔性屏幕与刚性屏最本质的差异在于柔性屏采用延展性比较好的聚酰亚胺(PI)为基底，一般柔性屏阵列基板(Array)的制作工艺是先涂布聚酰亚胺溶液形成柔性基板，之后再沉积低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，LTPS)形成有源层，再次进行准分子镭射结晶(Eximerlaserannealing，ELA)等高温制程，之后再进行后续的化学物理沉积过程完成阵列基板的其他层。众所周知，Array基板的好坏取决于其制作的半导体电路的电压和迁移率(mobility)。因此，有源层中的准分子镭射结晶至关重要，目前由于准分子镭射结晶的瞬间温度可达1200-1400摄氏度，能量高达440-500mj(megajoule,兆焦耳)，会造成柔性基板的烧伤，长时间之后，柔性基板里的水氧也会慢慢入侵到有源层，从而影响有源层的半导体性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置以解决高温条件下制备有源层时容易烧伤柔性基板，柔性基板损伤影响有源层的半导体性能的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，包括柔性基板、致密膜层、缓冲层以及有源层；所述致密膜层设于所述柔性基板上；所述缓冲层设于所述致密膜层上；所述有源层设于所述缓冲层上。进一步地，所述致密膜层的材质为铝氧化物和/或钛氧化物。进一步地，所述致密膜层的厚度为5-10um。进一步地，所述柔性基板包括第一PI基板、屏障层以及第二PI基板；所述屏障层设于所述第一PI基板上；所述第二PI基板设于所述屏障层上。为实现上述目的，本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：形成一柔性基板；形成一致密膜层于所述柔性基板上；形成一缓冲层于所述致密膜层上；以及形成有源层于所述缓冲层上。进一步地，在所述形成一致密膜层于所述柔性基板上的步骤中，在所述柔性基板上沉积铝氧化物和/或钛氧化物，形成所述致密膜层。进一步地，在所述形成一致密膜层于所述柔性基板上的步骤中，通过磁控溅射的方式在所述柔性基板上沉积铝氧化物和/或钛氧化物，形成所述致密膜层。进一步地，采用低温多晶硅的工艺在所述缓冲层上形成所述有源层。进一步地，所述形成一柔性基板具体包括：形成一第一PI基板；形成一屏障层于所述第一PI基板上；以及形成一第二PI基板于所述屏障层上。为实现上述目的，本专利技术还提供一种显示装置，包括前文所述的阵列基板。本专利技术的技术效果在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，在第二PI基板与缓冲层之间设置致密膜层，在高温工艺中，如准分子镭射结晶过程，致密膜层可以降低外部对柔性基板的热传导，起到保护柔性基板的作用，从而提升产线良率，节约了制造成本。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例所述阵列基板的结构示意图，主要体现各膜层的层状结构。图2为本申请实施例所述阵列基板的结构示意图，主要体现阵列基板中薄膜晶体管结构与各膜层之间的结构。图3为本申请实施例所述阵列基板的制备方法的流程图。图4为本申请实施例所述柔性基板的制备流程图。附图部分标识如下：100阵列基板；1柔性基板；2致密膜层；3缓冲层；4有源层；5栅极绝缘层；6栅极；7介质层；8源漏极层；9平坦层；10薄膜晶体管；11第一PI基板；12屏障层；13第二PI基板；101第一过孔；102第二过孔。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。如图1所示，图1为阵列基板100的结构示意图，主要体现各膜层的层状结构。本实施例提供一种阵列基板100，包括柔性基板1、致密膜层2、缓冲层3以及有源层4。柔性基板1包括第一PI基板11、屏障层12以及第二PI基板13。其中，第一PI基板11和第二PI基板13的材质包括但不限于聚酰亚胺(polyimide)。屏障层12的材质包括硅氧化物(如SiO2)和/或氮化硅(如SiNx)。在本实施例中，由于阵列基板100的第二PI基板13与缓冲层3之间设置有致密膜层2，致密膜层2采用金属材质，其包括铝氧化物(如Al2O3)和/或钼氧化物(如MoO)，致密膜层2的厚度为5-10um。当缓冲层3通过高温等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)的方式形成时，致密膜层2可防止等离子体直接轰击第二PI基板13产生的物质污染设备腔体和管道。同时，在后续的其他高温工艺中，例如准分子镭射结晶过程，即形成有源层4时，致密膜层2可以降低外部对柔性基板1的热传导，起到保护柔性基板1的作用。需要说明的是，所述“外部”指柔性基板1的外部，也即致密膜层2能够降低热量自柔性基板1的外部向柔性基板1的内部的传导。当致密膜层2采用的材料为氧化铝时，在准分子镭射结晶过程中，本实施例致密膜层2能够吸收大量热能，故而能够有效降低外部对柔性基板1的热传导，起到保护柔性基板1的作用。当致密膜层2采用的材料为氮化钛时，由于钛材料具有韧性好、耐腐蚀、熔点高、热导系数低、在极冷极热条件下应力小，且能够在低温条件下通过物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)得到等特点，故而致密膜层2能够更好地起到保护柔性基板1的作用。优选地，由于钛材料的韧性好，故而致密膜层2抗等离子体轰击能力强，在缓冲层3的形成过程中，致密膜层2能够很好地保护柔性基板1。同时，由于氮化钛的导热系数低，在准分子镭射结晶过程中，致密膜层2亦能够有效降低外部对柔性基板1的热传导，起到保护柔性基板1的作用。如图2所示，图2为阵列基板100的结构示意图，主要体现阵列基板中薄膜晶体管结构与各膜层之间的结构。阵列基板100还包括多个薄膜晶体管10(Thin-filmtransistor，TFT)，所述多个薄膜晶体管10形成于缓冲层3远离致密膜层2的一侧。多个薄膜晶体管10呈阵列排布在所述缓冲层13上。每一薄膜晶体管10包括有源层4，该有源层4采用采用低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，LTPS)工艺制成。所述低温多晶硅工艺包括准分子镭射结晶过程(Eximerlaserannealing，ELA)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n柔性基板；/n致密膜层，设于所述柔性基板上；/n缓冲层，设于所述致密膜层上；以及/n有源层，设于所述缓冲层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性基板；
致密膜层，设于所述柔性基板上；
缓冲层，设于所述致密膜层上；以及
有源层，设于所述缓冲层上。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述致密膜层的材质为铝氧化物和/或钛氧化物。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述致密膜层的厚度为5-10um。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性基板包括：
第一PI基板；
屏障层，设于所述第一PI基板上；以及
第二PI基板，设于所述屏障层上。


5.一种根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成一柔性基板；
形成一致密膜层于所述柔性基板上；
形成一缓冲层于所述致密膜层上；以及
形成有源层于所述缓冲层上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：饶娉，李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42