显示面板制造技术

技术编号:26732815 阅读:16 留言:0更新日期:2020-12-15 14:37
本发明专利技术提供一种显示面板,在显示面板中,第一驱动薄膜晶体管电连接于第一OLED器件,第二驱动薄膜晶体管电连接于第二OLED器件;第一驱动薄膜晶体管包括第一有源层,第一有源层的沟道部分具有第一宽长比;第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层,第二有源层的沟道部分具有第二宽长比;第一宽长比小于所述第二宽长比。本申请设置第一宽长比小于所述第二宽长比,以改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善画面的残影现象。

【技术实现步骤摘要】
显示面板
本专利技术涉及一种显示
,特别涉及一种显示面板。
技术介绍
在有源矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)显示面板中,AMOLED为薄膜晶体管(TFT)控制的电流驱动,由于采用低温多晶硅工艺制作的薄膜晶体管具有严重的迟滞效应,会带来晶体管输出电流的波动,从而导致其控制的OLED器件亮度偏离设计值。这种效应反应在显示画面中则表现为残影,并且画面的残像水平与画面呈强相关;也就是说在相同灰阶下,绿画面残影现象严重,红画面残影现象较轻。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板,以解决现有的OLED面板采用低温多晶硅工艺制作的薄膜晶体管具有严重的迟滞效应,会带来晶体管输出电流的波动,从而导致在相同灰阶下,绿画面和/或红画面出现残影的技术问题。本专利技术实施例提供一种显示面板,包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管、第一OLED器件和第二OLED器件;所述第一驱动薄膜晶体管电连接于所述第一OLED器件,所述第二驱动薄膜晶体管电连接于所述第二OLED器件,所述第一OLED器件和所述第二OLED器件各自发出的光颜色不同;所述第一驱动薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层的沟道部分具有第一宽长比;所述第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二有源层的沟道部分具有第二宽长比;所述第一宽长比小于所述第二宽长比。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一OLED器件为绿色OLED器件,所述第二OLED器件为第一非绿色OLED器件。在本申请实施例所述的显示面板中,所述显示面板还包括第三驱动薄膜晶体管和第二非绿色OLED器件,所述第二非绿色OLED器件和所述第一非绿色OLED器件各自发出的光颜色不同;所述第三驱动薄膜晶体管电连接于所述第二非绿色OLED器件;所述第三驱动薄膜晶体管包括第三有源层,所述第三有源层的沟道部分具有第三宽长比;所述第一宽长比小于所述第三宽长比。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的一者,所述第二非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的另一者。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第二宽长比等于所述第三宽长比。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件,所述第二非绿色OLED器件为蓝色OLED器件;所述第二宽长比小于所述第三宽长比。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一驱动薄膜晶体管包括第一栅极,所述第二驱动薄膜晶体管包括第二栅极;所述第一栅极覆盖所述第一有源层的沟道部分的面积大于所述第二栅极覆盖所述第二有源层的沟道部分的面积。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第三驱动薄膜晶体管包括第三栅极,所述第一栅极覆盖所述第一有源层的沟道部分的面积大于所述第三栅极覆盖所述第三有源层的沟道部分的面积。在本申请实施例所述的显示面板中,所述显示面板还包括第一电容,所述第一电容包括第一电极和设置在所述第一电极上的第二电极,所述第一电极为所述第一栅极;所述显示面板还包括第二电容,所述第二电容包括第三电极和设置在所述第三电极上的第四电极,所述第三电极为所述第二栅极;所述第二电极的面积小于所述第四电极的面积。在本申请实施例所述的显示面板中,所述显示面板还包括第三电容,所述第三电容包括第五电极和设置在所述第五电极上的第六电极,所述第五电极为所述第三栅极;所述第二电极的面积小于所述第六电极的面积。在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一有源层的沟道部分的宽度介于1.5微米至4微米之间,所述第一有源层的沟道部分的长度介于15微米至50微米之间。本专利技术的显示面板配置将驱动第一OLED器件的第一驱动薄膜晶体管的第一有源层的沟道部分的宽长比为第一宽长比,配置驱动第二OLED器件的第二驱动薄膜晶体管的第二有源层的沟道部分的宽长比为第二宽长比,且设置第一宽长比小于第二宽长比,以改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善画面的残影现象。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本专利技术的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。图1为本专利技术实施例的显示面板的剖面结构示意图;图2为本专利技术实施例的显示面板的像素驱动电路等效图;图3为本专利技术实施例的显示面板的驱动薄膜晶体管与信号线的俯视结构示意图;图4为本专利技术实施例的显示面板的第一有源层的沟道部分和第一栅极的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本专利技术。此外,本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本专利技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参照图1,图1为本专利技术实施例的显示面板的剖面结构示意图。本专利技术实施例提供一种显示面板100,其包括OLED器件层M和驱动薄膜晶体管结构层DT,所述驱动薄膜晶体管结构层DT电连接于所述OL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管、第一OLED器件和第二OLED器件;所述第一驱动薄膜晶体管电连接于所述第一OLED器件,所述第二驱动薄膜晶体管电连接于所述第二OLED器件,所述第一OLED器件和所述第二OLED器件各自发出的光颜色不同;/n所述第一驱动薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层的沟道部分具有第一宽长比;所述第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二有源层的沟道部分具有第二宽长比;/n所述第一宽长比小于所述第二宽长比。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管、第一OLED器件和第二OLED器件;所述第一驱动薄膜晶体管电连接于所述第一OLED器件,所述第二驱动薄膜晶体管电连接于所述第二OLED器件,所述第一OLED器件和所述第二OLED器件各自发出的光颜色不同;
所述第一驱动薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层的沟道部分具有第一宽长比;所述第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二有源层的沟道部分具有第二宽长比;
所述第一宽长比小于所述第二宽长比。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一OLED器件为绿色OLED器件,所述第二OLED器件为第一非绿色OLED器件。


3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第三驱动薄膜晶体管和第二非绿色OLED器件,所述第二非绿色OLED器件和所述第一非绿色OLED器件各自发出的光颜色不同;所述第三驱动薄膜晶体管电连接于所述第二非绿色OLED器件;
所述第三驱动薄膜晶体管包括第三有源层,所述第三有源层的沟道部分具有第三宽长比;
所述第一宽长比小于所述第三宽长比。


4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的一者,所述第二非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的另一者。


5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二宽长比等于所述第三宽长比。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:王威张伟彬
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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