LTPS TFT阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题，该LTPS TFT阵列基板包括：衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管；所述金属块设置于所述衬底上，所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。

【技术实现步骤摘要】
LTPSTFT阵列基板及显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种LTPSTFT阵列基板及显示装置。
技术介绍
低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，简称LTPS)由于具有较高的迁移率，较快的响应时间，因此通常利用低温多晶硅制备薄膜晶体管的有源层，这样，可以使包括该薄膜晶体管的显示装置的尺寸更小，像素密度更高，从而被广泛应用于高分辨率、高PPI(PixelsPerInch，像素密度)的显示装置中。然而，由于低温多晶硅的迁移率较高，导致薄膜晶体管的漏电流较大，进而会导致显示装置出现亮点等不良的现象。
技术实现思路
本申请的实施例提供一种LTPSTFT阵列基板及显示装置，可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题。为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：一方面、提供一种LTPSTFT阵列基板，包括：衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管；所述金属块设置于所述衬底上，所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LTPS TFT阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n金属块，设置于所述衬底上；所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；/n至少一个薄膜晶体管，包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。/n

【技术特征摘要】
1.一种LTPSTFT阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
金属块，设置于所述衬底上；所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；
至少一个薄膜晶体管，包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。


2.根据权利要求1所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，
所述金属块包括第一金属块和第二金属块；
所述第一金属块在所述多晶硅层上的垂直投影位于所述源极区；所述第二金属块在所述多晶硅层上的垂直投影位于所述漏极区。


3.根据权利要求2所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，
所述源极区包括轻掺杂区和重掺杂区；所述第一金属块在所述多晶硅层上的垂直投影位于所述轻掺杂区或所述重掺杂区；
所述漏极区包括轻掺杂区和重掺杂区；所述第二金属块在所述多晶硅层上的垂直投影位于所述轻掺杂区或所述重掺杂区。


4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶腾，姚磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11