一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，包括以下步骤：在玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管；在所述IGZO薄膜晶体管上形成钝化层；所述钝化层使用了化学修饰进行疏水化处理，在所述钝化层的内部和表面形成疏水有机基团，所述疏水有机基团起到化学性阻挡水汽的作用；其中所述钝化层为单层结构。本发明专利技术提供的阵列基板及其制作方法，通过采用化学修饰的方法使得钝化层薄膜的内部和表面修饰了一些疏水基团，使得钝化层的物理阻挡变成化学阻挡。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本申请涉及一种显示器
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
目前现有技术中的BCE(BackChannelEtched，背沟道刻蚀型)类型的IGZO(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)，IGZO薄膜晶体管包括位于基板上的栅极、栅极绝缘层、IGZO薄膜、源极和漏极；IGZO薄膜晶体管对环境的中水特别敏感。如果IGZO薄膜晶体管的背沟道受到水汽的渗入，阈值电压Vth会严重偏负，导致IGZO薄膜晶体管失效。为了解决该问题，目前采用的方法是在薄膜晶体管上面加入钝化层。钝化层一般为SiOx/SiNx的双层结构，其中，SiO2起到隔绝SiNx制程中的H离子的作用，防止过量的H离子进入IGZO薄膜中，造成导通；而SiNx起到隔绝水汽的作用。但是由于制程工艺限制，钝化层的膜质疏松，缺陷较多，这种物理性的阻挡水汽效果不好，不能完全排除水汽对IGZO薄膜的影响。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管；/n在所述IGZO薄膜晶体管上沉积氧化硅/氮化硅材料，构成氧化硅/氮化硅骨架，对所述氧化硅/氮化硅骨架进行化学修饰，得到钝化层，所述钝化层具有疏水有机基团；/n其中，所述钝化层的内部和表面具有疏水有机基团，所述疏水有机基团起到化学性阻挡水汽的作用；/n其中所述钝化层为单层结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管；
在所述IGZO薄膜晶体管上沉积氧化硅/氮化硅材料，构成氧化硅/氮化硅骨架，对所述氧化硅/氮化硅骨架进行化学修饰，得到钝化层，所述钝化层具有疏水有机基团；
其中，所述钝化层的内部和表面具有疏水有机基团，所述疏水有机基团起到化学性阻挡水汽的作用；
其中所述钝化层为单层结构。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述玻璃基板上形成IGZO薄膜晶体管，包括以下步骤：
在所述玻璃基板上形成栅极；
在所述玻璃基板上形成栅极绝缘层，而且所述栅极绝缘层完全覆盖所述栅极；
在所述栅极绝缘层上形成IGZO薄膜、源极以及漏极，所述源极和所述漏极与所述IGZO薄膜部分重叠。


3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层使用了化学修饰进行疏水化处理，包括：
采用带有疏水基团的有机硅烷热解法对所述钝化层进行疏水化处理；
其中，所述带有疏水基团的有机硅烷为任意带有有机基团并能在Si骨架表面修饰的物质，所述疏水基团包括甲基和乙基。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用带有疏水基团的有机硅烷热解法对所述钝化层进行疏水化处理，包括以下步骤：
使用化学气相沉积将甲基三乙氧基硅烷制成钝化层，所述钝化层的厚度为100A到2000A之间。


5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，使用化学气相沉积将甲基三乙氧基硅烷制成钝化层，所述甲基三乙氧基硅烷在压力为15Pa到100Pa，温度为150℃到400℃的条件下会生成带甲基基团的SiOx薄膜结构。


6.根据权利要求3所述的阵列基板的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钊，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44