一种阵列基板制造技术

本申请提供一种阵列基板，阵列基板包括基板；有源层，所述有源层包括沟道区；栅极绝缘层；栅极，所述栅极与所述有源层沟道区相对应；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层的两端；其中，所述栅极采用凹槽式结构，且所述凹槽的开口朝向所述有源层；所述凹槽对应的所述有源层区域为所述沟道区。本申请通过将栅极、栅极绝缘层以及有源层对应的沟道区构成立体沟道结构，变相的增大沟道区宽度的大小，在相同沟道区长度的设计下，保证驱动电流足够大，实现高开关电流比及高开口率，解决了减少沟道区宽/长比带来的漏电流过大的安全问题和小沟道的工艺难题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板。
技术介绍
随着高PPI(像素密度)的OLED产品的开发，对背板的要求逐渐提高，维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。目前，厂家希望能得到具有更大的饱和电流，更好的饱和特性的OLED产品，希望沟道区宽/长越大越好，也就意味着沟道区的长度越小、宽度越大则越有利于OLED产品性能的提升。然而，沟道区的宽度增大会直接影响开口率，与高PPI(像素密度)的小TFT(薄膜晶体管)器件矛盾，故不能轻易增大沟道区的宽度来提高沟道区宽/长比；其次，在保证高驱动电流情况下，厂家希望沟道区的宽/长比向增大的方向设计，而随着沟道区的长度逐渐减小，TFT(薄膜晶体管)器件的源极和漏极间的关态漏电流会越来越大(与沟道区宽/长比成正比)，故在现有结构设计中存在提升了驱动电流但也同时增大了漏电流的矛盾。
技术实现思路
本申请提供了一种阵列基板，用以在相同沟道长度的设计下，保证驱动电流足够大，同时实现高开关电流比及高开口率。为了实现上述效果，本申请提供的技术方案如下：...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n有源层，所述有源层包括沟道区；/n栅极绝缘层；/n栅极，所述栅极与所述有源层沟道区相对应；/n源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层的两端；/n其中，所述栅极采用凹槽式结构，且所述凹槽的开口朝向所述有源层；所述凹槽对应的所述有源层区域为所述沟道区。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
有源层，所述有源层包括沟道区；
栅极绝缘层；
栅极，所述栅极与所述有源层沟道区相对应；
源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述有源层的两端；
其中，所述栅极采用凹槽式结构，且所述凹槽的开口朝向所述有源层；所述凹槽对应的所述有源层区域为所述沟道区。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极依次层叠设置；所述栅极绝缘层采用凹槽式结构，所述栅极绝缘层包裹在所述有源层对应沟道区的两侧面和上表面，所述栅极包裹在所述栅极绝缘层的两侧面以及上表面。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的沟道区包括位于所述有源层上表面的第一沟道区，以及分别位于所述有源层两侧面的第二沟道区和第三沟道区，所述第二沟道区与所述第一沟道区以及所述第三沟道区为连续区域；
所述栅极包括对应所述第一沟道区的顶部、对应所述第二沟道区的第一侧部和对应所述第三沟道区的第二侧部，所述栅极的顶部、第一侧部以及第二侧部围成凹槽式结构。


4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极凹槽的延伸方向为第一方向，垂直于所述栅极凹槽的延伸方向为第二方向，所述栅极、所述栅极绝缘层以及所述有源层构成立体沟道结构，所述立体沟道结构的沟道宽度为所述栅极的顶部、第一侧部以及第二侧部在第二方向上截面的边长之和。


5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述栅极绝缘层以及所述有源层依次层叠设置；所述栅极绝缘层采用凹槽式结构，所述栅极绝缘层包裹在所述有源层对应沟道区的两侧面和下表面，所述栅极包裹在所述栅极绝缘层的两侧面以及下表面。


6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的沟道区包括位于所述有源层上表面的第一沟道区，以及分别位于所述有源层两侧面的第二沟道区和第三沟道区，所述第二沟道区与所述第一沟道区以及所述第三沟道区为连续区域；
所述栅极包括对应所述第一沟道区的顶部、对应所述第二沟道区的第一侧部和对应所述第三沟道区的第二侧部，所述栅极的顶部、第一侧部以及第二侧部围成凹槽式结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44