【技术实现步骤摘要】
一种基于融合算法的晶圆晶粒缺陷点修复路径规划方法
本专利技术涉及集成电路领域和路径规划
,具体涉及一种基于融合算法的晶圆晶粒缺陷点修复路径规划方法。
技术介绍
晶圆是硅元素加以高纯化,接着是将这些纯硅制成长硅晶棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。在半导体材料加工过程中,晶圆的质量直接决定了芯片及电子元器件的质量。当前,晶圆制造工艺成品率一般在90%左右,通过检测定位标记出不合格品的晶粒,在后续用探针台探针进行修复,不仅有效的提高晶圆的真实封装率,而且可以避免前期复杂工艺生产出的不良品的资源浪费。传统的修复方案包括紫外线照射维修技术、雷射融断维修技术、选择性拾取维修技术、选择性雷射维修技术及备援电路设计方案。传统的修复路线是遍历晶粒缺陷晶圆的每一个晶粒后进行修复,这种遍历方法不仅耗费巨大,而且修复效率低下。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术探针台探针修复晶圆缺陷点的效率低下 ...
【技术保护点】
1.一种基于融合算法的晶圆晶粒缺陷点修复路径规划方法,其特征在于:根据每一个晶圆晶粒缺陷点的坐标,寻找一条遍历所有的晶圆晶粒缺陷点且每个缺陷点都只被访问一次的路径,该方法包括如下步骤:/n步骤一:确定数学模型;/n步骤二:将数学模型作为人工免疫算法的抗原,确定抗体的编码表示;/n步骤三:产生初始抗体并进行预处理;/n步骤四:计算亲和力和排斥力;/n步骤五:产生新的缺陷点优化路径并计算其亲和力和排斥力;/n步骤六:最优路径选择;/n步骤七:初始化参数,根据步骤五获得的较优可行解,生成信息素初始分布,将m只蚂蚁置于n个晶粒缺陷点;/n步骤八:蚂蚁按照转移概率公式完成各自周游并记 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于融合算法的晶圆晶粒缺陷点修复路径规划方法,其特征在于:根据每一个晶圆晶粒缺陷点的坐标,寻找一条遍历所有的晶圆晶粒缺陷点且每个缺陷点都只被访问一次的路径,该方法包括如下步骤:
步骤一:确定数学模型;
步骤二:将数学模型作为人工免疫算法的抗原,确定抗体的编码表示;
步骤三:产生初始抗体并进行预处理;
步骤四:计算亲和力和排斥力;
步骤五:产生新的缺陷点优化路径并计算其亲和力和排斥力;
步骤六:最优路径选择;
步骤七:初始化参数,根据步骤五获得的较优可行解,生成信息素初始分布,将m只蚂蚁置于n个晶粒缺陷点;
步骤八:蚂蚁按照转移概率公式完成各自周游并记录本次最佳路线;
步骤九:更新信息表;
步骤十:进行迭代循环,直到找到路径最优解。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤一所述的数学模型描述为:
设g=(v,e)为赋权图,v={1,2,3,...,n}为顶点集,e为边集,各定点距离为Cij,已知Cij>0且i,j∈v,当该遍历路径为最优路径时,设定xij为1,其它情况下设定xij为0,
Z代表晶粒缺陷点的遍历路径,i,j代表随机的晶粒缺陷点坐标,k是v的路径的全部非空子集,|k|是集合k全部晶粒缺陷点的个数,其中公式(1)是晶圆缺陷晶粒最短路径的目标函数,求经过所有缺陷晶粒坐标回路的最短距离,公式(2)和(3)限定每个缺陷晶粒构成的回路仅有一条入边和一条出边。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤四所述的计算亲和力是构造晶粒缺陷点优化路径B与评价指标G之间的App(B)=TM-TB,并计算App(B),App(B)越大,说明二者之间的匹配越好。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤四所述的计算排斥力是定义优化路径B1与优化路径B2之间的排斥力Rep(B1,B2)=|TB1-TB2|,并计算Rep(B1,B2),其中TB1、TB2分别表示优化路径B1与优化路径B2所对应遍历路线的总长度,Rep(B1,B2)越大,说明优化路径B1与优化路径B2之间的差距越大。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤五是构造适当的人工免疫算子,通过人工免疫算子的作用概率pc,ps,pi,po和预先确定的...
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