包括垂直集成的光学和电子器件并且包含超晶格的半导体器件和方法技术

半导体器件可以包括其上具有波导的基板以及覆盖基板和波导的超晶格。超晶格可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括在超晶格上包括至少一个有源半导体器件的有源器件层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括垂直集成的光学和电子器件并且包含超晶格的半导体器件和方法
本专利技术涉及半导体领域，并且更具体地，涉及光学半导体器件和相关联的方法。
技术介绍
已经提出了增强半导体器件的性能的结构和技术，诸如通过增强电荷载流子的移动性。例如，授予Currie等人的美国专利申请No.2003/0057416公开了硅、硅锗和松弛硅的应变材料层，并且还包括无杂质的区(否则杂质会造成性能降级)。在上部硅层中产生的双轴应变更改了载流子移动性，从而实现了更高速度和/或更低功率的器件。授予Fitzgerald等人的已公开美国专利申请No.2003/0034529公开了也基于类似的应变硅技术的CMOS反相器。授予Takagi的美国专利No.6,472,685B2公开了一种半导体器件，其包括硅和夹在硅层之间的碳层，使得第二硅层的导带和价带接受拉伸应变。有效质量较小并且已经由施加到栅电极的电场感应出的电子被限制在第二硅层中，因此，断言n沟道MOSFET具有更高的移动性。授予Ishibashi等人的美国专利No.4,937,204公开了一种超晶格，其中交本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n基板，其上具有多个波导；/n覆盖基板和波导的超晶格，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括：限定基础半导体部分的多个堆叠的基体半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；以及/n在所述超晶格上包括至少一个有源半导体器件的有源器件层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180412 US 62/656,4691.一种半导体器件，包括：
基板，其上具有多个波导；
覆盖基板和波导的超晶格，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括：限定基础半导体部分的多个堆叠的基体半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；以及
在所述超晶格上包括至少一个有源半导体器件的有源器件层。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板包括绝缘体上半导体(SOI)基板。


3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述超晶格内的多个光学调制器区域。


4.如权利要求3所述的半导体器件，还包括延伸穿过有源器件层到光学调制器区域的通孔。


5.如权利要求3所述的半导体器件，其中光学调制器区域包括掺杂剂。


6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个有源光学器件包括至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。


7.如权利要求1所述的半导体器件，其中基础半导体单层包括硅。


8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个非半导体单层包括氧。


9.一种半导体器件，包括：
绝缘体上半导体(SOI)基板，其上具有多个波导；
覆盖绝缘体上半导体基板和波导的超晶格，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基体半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；
在所述超晶格内的多个光学调制器区域；以及
在所述超晶格上包括至少一个有源半导体器件的有源器件层。


10.如权利要求9所述的半导体器件，还包括延伸穿过有源器件层到光学调制...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·J·斯蒂芬森，
申请(专利权)人：阿托梅拉公司，
类型：发明
国别省市：美国;US