一种电池基板减薄方法及电池技术

本发明专利技术公开了一种电池基板减薄方法及电池，属于太阳电池技术领域，其中电池基板减薄技术包括以下步骤：首先通过在锗基板上制作正面电极与减反射膜，而后采用临时键合技术，将锗基板键合至临时基板上，而后对锗基板上无正面电极的面进行减薄、抛光；然后对减薄面采用溶液做进一步抛光，抛光完后对减薄面进行背面电极蒸镀，而后将背面电极蒸镀至减薄面上；而后通过解键合，将相互连接的锗基板与临时基板进行分离；而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割，得到单体电池。本发明专利技术公开的电池基板减薄方法具有能够大幅降低电池重量的优点，并且可以保证制造的良率，采用本发明专利技术公开的技术制成的电池具有轻质高效的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种电池基板减薄方法及电池
本专利技术涉及太阳电池
，尤其涉及一种电池基板减薄方法及电池。
技术介绍
以锗为基板的砷化镓三结太阳电池（结构GaInP/GaAs/Ge），目前已经基本代替了晶硅太阳电池，成为了现有空间飞行器使用的主要空间电源。主要原因是三结砷化镓太阳电池拥有更高的转换效率，目前三结砷化镓太阳电池的转换效率平均达到30%的水平，远远超过晶硅电池的转换效率。但是三结砷化镓太阳电池由于使用Ge基板，导致电池的密度大大增加。Ge基板的密度大约是晶硅电池的两倍。导致同样面积情况下，虽然能够提供更多的输出功率，但是重量也是成倍增加。这样大大提高空间飞行器的发射成本。目前使用火箭的情况下，发射成本大约为50000美元/kg。另外一种降低成本的方法是使用GaAs薄膜电池。但是该方法目前工艺难度太大，良品率极低，成本高，大规模应用非常困难。
技术实现思路
为了克服现有技术中锗（Ge）基电池重量过重的缺陷，本专利技术所需要解决的问题在于提出一种电池基板减薄方法及电池，使得通过该技术制成的电池，良率高不易碎片，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池基板减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、在锗基板上制作正面电极与减反射膜；/nS2、使用临时键合技术，将锗基板上存在正面电极的面键合至临时基板上；/nS3、对锗基板上无正面电极的面进行减薄，而后对减薄面进行抛光；/nS4、对上述锗基板的抛光面使用溶液做进一步抛光，而后在抛光面上进行背面电极蒸镀；/nS5、通过解键合将临时基板与锗基板分离，而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割，得到单体电池；/n所述步骤S1包括以下步骤：/nS11、在锗基板上，一次扩散出锗底电池；/nS12、将完成上述过程的锗基板进行有机清洗；/nS13、使用负胶剥离技术，制作正面电极图形；/nS...

【技术特征摘要】
1.一种电池基板减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在锗基板上制作正面电极与减反射膜；
S2、使用临时键合技术，将锗基板上存在正面电极的面键合至临时基板上；
S3、对锗基板上无正面电极的面进行减薄，而后对减薄面进行抛光；
S4、对上述锗基板的抛光面使用溶液做进一步抛光，而后在抛光面上进行背面电极蒸镀；
S5、通过解键合将临时基板与锗基板分离，而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割，得到单体电池；
所述步骤S1包括以下步骤：
S11、在锗基板上，一次扩散出锗底电池；
S12、将完成上述过程的锗基板进行有机清洗；
S13、使用负胶剥离技术，制作正面电极图形；
S14、利用电子束蒸镀技术，在锗底电池表面蒸镀金属电极；
S15、进行电极剥离，将不处于正面电极图形位置上的金属电极从锗底电池上剥离；
S16、选择性腐蚀，通过选择性腐蚀将表面无电极的GaAs去除；
S17、于电池表面蒸镀减反射膜；
S18、对上述步骤中蒸镀的减反射膜进行蚀刻。


2.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法，其特征在于,所述步骤S2包括以下步骤：
S21、有机清洗，对完成步骤S1后的锗基板进行有机清洗；
S22、涂胶烘烤，于锗基板上以及临时基板上涂覆临时键合胶，完成后进行烘烤；
S23、键合，将完成步骤S22的锗基板以及临时基板进行临时键合。


3.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法，其特征在于,所述步骤S3包括以下步骤：
S31、减薄，使用研磨机对完成步骤S2后...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊承，米万里，孙志泉，杨文斐，徐培强，吴洪清，张银桥，王向武，潘彬，
申请(专利权)人：南昌凯迅光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36