一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池生产领域，一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500‑1000sccm的N2‑POCl3、400‑900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100‑200s，维持820℃，通入1‑3slm的N2，时间1‑2min。通过钝化发射极，减少金属化区域复合电流，提升电池转换效率0.3‑0.5%。

【技术实现步骤摘要】
一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺
本专利技术涉及太阳能电池生产领域，特别是涉及p型晶硅电池发射极制备领域。
技术介绍
当前，单晶PERC电池转换效率的提升，主要基于非金属区域钝化膜层的优化、激光掺杂技术的应用等，当这些技术应用成熟后，PERC电池转换效率的提升出现瓶颈。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何克服PERC电池转换效率的提升出现瓶颈，进一步提升电池转换效率。本专利技术所要解决的技术问题是：一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500-1000sccm的N2-POCl3、400-900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100-200s，维持820℃，通入1-3slm的N2，时间1-2min。正面激光开槽时，开槽使用激光波长为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，其特征在于：按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500-1000sccm的N2-POCl3、400-900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100-200s，维持820℃，通入1-3slm的N2，时间1-2min。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，其特征在于：按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极重掺杂过程中，采用热扩散的方式，通入300sccm的N2、500-1000sccm的N2-POCl3、400-900sccm的O2，安均匀的速率从780℃提升到820℃，时间为100-200s，维持820℃，通入1-3slm的N2，时间1-2min。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞飞，张波，申开愉，张云鹏，李雪方，郭丽，吕爱武，杜泽霖，李陈阳，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14