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本发明涉及太阳能电池生产领域，一种新型p型晶硅电池发射极接触钝化制备工艺，按照清洗制绒、扩散制结、去PSG及背刻蚀、高温氧化、正面减反膜、背面钝化及减反膜、正面激光开槽、发射极重掺杂、去PSG、背面激光开槽、丝网印刷的工艺进行，其中，发射极...
该专利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西潞安太阳能科技有限责任公司授权不得商用。

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