一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于透明电极的α‑硒化铟二维光电探测器，包括自上到下依次分布的α‑硒化铟二维铁电半导体层、二氧化铪电介质层及掺杂硅衬底，其中，α‑硒化铟二维铁电半导体层上设置有透明电极，该探测器的尺寸小，光电响应度较高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器
本专利技术涉及一种可用于集成电路的光电探测器，具体涉及一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器。
技术介绍
随着硅基半导体集成电路的发展，纳米半导体器件尺寸不断缩小，纳米量级器件的出现极大地推动了电子信息产业的发展。然而，器件尺寸的缩小也伴随着功耗的提高，同时由于生产设备及量子效应限制，硅基半导体器件的发展遇到了瓶颈。集成器件进一步发展的道路除了在器件尺寸及功耗方面做更多努力外，集成器件的功能也朝着实现多种功能的方向发展。光电探测的原理是半导体内价带电子吸收光子能量并跃迁至导带，在半导体内形成自由移动的光生载流子，进一步，对半导体施加电场，使载流子定向移动从而产生光生电流。传统硅基光电探测器件结构主要是具有光响应的半导体材料如硅、锗等与金属电极如钛、金等构成不同结构的晶体管。然而，传统半导体材料能带结构单一，导致其光谱响应范围教小，进而引起部分波段光谱响应不高甚至不响应的问题，限制了相关器件在光电探测领域的应用。光电探测器电极多采用金属电极，对于较厚金属电极，其透过率较低，影响器件光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器，其特征在于，包括自上到下依次分布的α-硒化铟二维铁电半导体层(3)、二氧化铪电介质层(2)及掺杂硅衬底(1)，其中，α-硒化铟二维铁电半导体层(3)上设置有透明电极(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器，其特征在于，包括自上到下依次分布的α-硒化铟二维铁电半导体层(3)、二氧化铪电介质层(2)及掺杂硅衬底(1)，其中，α-硒化铟二维铁电半导体层(3)上设置有透明电极(4)。


2.根据权利要求1所述的基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器，其特征在于，掺杂硅衬底(1)为n-掺杂硅衬底或者p-掺杂硅衬底。


3.根据权利要求1所述的基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器，其特征在于，二氧化铪电介质层(2)的厚度为10-15mm。


4.根据权利要求1所述的基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器，其特征在于，α-硒化铟二维铁电半导体层(3)的厚度为50-100mm。


5.根据权利要求1所述的基于透明电极的α-硒化铟二维光电...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛刚，孙延笑，赵金燕，史鹏，任巍，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61