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一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器制造技术
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下载一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器的技术资料
文档序号:26692427
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本发明公开了一种基于透明电极的α‑硒化铟二维光电探测器,包括自上到下依次分布的α‑硒化铟二维铁电半导体层、二氧化铪电介质层及掺杂硅衬底,其中,α‑硒化铟二维铁电半导体层上设置有透明电极,该探测器的尺寸小,光电响应度较高。...
该专利属于西安交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安交通大学授权不得商用。
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