一种用于高温氧化工艺的应力施加装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,该装置包括基座、楔块以及单轴宽间距直筋压板、单轴窄间距直筋压板、双轴大直径圆筋压板、双轴小直径圆筋压板六个部分，基座内叠加单轴宽间距直筋压板、半导体基片、单轴窄间距直筋压板、楔块，构成单轴张/压应力施加装置；基座内叠加双轴大直径圆筋压板、半导体基片、双轴小直径圆筋压板、楔块，构成双轴张/压应力施加装置。本发明专利技术的装置既可以用于高温氧化环境，又可避免金属对器件的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种用于高温氧化工艺的应力施加装置
本专利技术属于半导体集成电路及其制造
，具体涉及一种用于高温氧化工艺的应力施加装置。
技术介绍
晶体管特征尺寸的不断缩小一直是集成电路集成度增加、性能提高的主要方法，而应变硅、锗沟道技术由于能显著提高载流子迁移率和器件驱动电流，并与当前微电子的主流CMOS工艺兼容，近年来获得了世界范围内的广泛研究。应变技术通过在器件中引入应力，利用应力改变器件材料的能带结构，从能带的角度去影响材料的载流子迁移率。最开始的应变硅技术使用SiGe外延材料制作SiGe虚拟衬底，通过晶格常数失配获得整个衬底表面的张应变来提高沟道载流子的迁移率，但是这种方法与传统CMOS兼容性不够好而且成本高，并且由于引入新的Ge元素，是否对器件有其他影响还不得而知。此外，该方法只能获得单一的张应变，使得研究手段大受限制。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提出一种用于高温氧化工艺的应力施加装置，通过对沟道材料(半导体基片)人为施加全部四种机械应力(包括单轴张应力、单轴压应力、双轴张应力、双轴压应力)的方法来研究应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,其特征在于，该装置包括基座(1)、楔块(4)以及单轴宽间距直筋压板(2)、单轴窄间距直筋压板(3)、双轴大直径圆筋压板(5)、双轴小直径圆筋压板(6)六个部分；/n所述的基座(1)为U型，基座内部底面(102)为斜坡面，两个基座内部侧面(101)的一端均设有水平限位边条(1011)和竖直限位边条(1012)；/n所述的楔块(4)的楔块上表面(401)为水平面，楔块下表面(402)为和所述的基座内部底面(102)倾斜度一致的斜坡面，所述的楔块厚度从一端向另一端逐渐变薄；/n所述的单轴宽间距直筋压板(2)为具有一定厚度的方形板，其上下表面均为水平面，且下表面...

【技术特征摘要】
1.一种用于高温氧化工艺的应力施加装置,其特征在于，该装置包括基座(1)、楔块(4)以及单轴宽间距直筋压板(2)、单轴窄间距直筋压板(3)、双轴大直径圆筋压板(5)、双轴小直径圆筋压板(6)六个部分；
所述的基座(1)为U型，基座内部底面(102)为斜坡面，两个基座内部侧面(101)的一端均设有水平限位边条(1011)和竖直限位边条(1012)；
所述的楔块(4)的楔块上表面(401)为水平面，楔块下表面(402)为和所述的基座内部底面(102)倾斜度一致的斜坡面，所述的楔块厚度从一端向另一端逐渐变薄；
所述的单轴宽间距直筋压板(2)为具有一定厚度的方形板，其上下表面均为水平面，且下表面上一体化设置有与板边缘平行的两条第一直筋(201)，且方形板的中部开设有第一氧气进气孔(202)。
所述的单轴窄间距直筋压板(3)为具有一定厚度的方形板，其上下表面均为水平面，且上表面上一体化设置有与板边缘平行的两条第二直筋(301)，且方形板的中部开设有第二氧气进气孔(302)；所述的两条第一直筋(201)之间的间距大于两条第二直筋(301)之间的间距；
所述的双轴大直径圆筋压板(5)为具有一定厚度的方形板，其上下表面均为水平面，且下表面中心位置处一体化设置有第一圆筋(501)，所述的第一圆筋(501)的内部设置同心的第三氧气进气孔(502)；
所述的双轴小直径圆筋压板(6)为具有一定厚度的方形板，其上下表面均为水平面，且下表面中心位置处一体化设置有第二圆筋(601)，所述的第二圆筋(601)的内部设置第四氧气进气孔(602)；所述的第一圆筋(501)的直径大于第二圆筋(601)的直径；
在所述的基座(1)内，从上到下依次叠放所述的单轴宽间距直筋压板(2)、半导体基片(7)、单轴窄间距直筋压板(3)、楔块(4)，且所述的第一直...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙家宝，程志渊，孙一军，孙颖，刘艳华，王妹芳，刘志，谢石建，陈长鸿，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33