光干涉式反射结构及其制造方法技术

本发明专利技术的光干涉式反射单元具有一光入射电极以及一光反射电极，此两电极之一或两者均包含一显示部分以及一导线部分，且此显示部分与导线部分利用一连接部分相互电性连接。所述的多个光干涉式反射单元的电极之间，是利用其导线部分相互连结成一电极线结构，以供其所形成的光干涉式反射结构操作于被动阵列驱动模式时使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种平面显示器，且特别是有关一种光干涉式反射单元以及其修理方法。
技术介绍
平面显示器由于具有体积小、重量轻的特性，在可携式显示设备，以及小空间应用的显示器市场中极具优势。现今的平面显示器除液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)、有机电激发光二极管(Organic Electro-LuminescentDisplay，OLED)和等离子体显示器(Plasma Display Panel，PDP)等外，一种利用光干涉式的平面显示模式已被提出。由光干涉式反射单元阵列所形成的显示器的特色在本质上具有低电力耗能、快速响应(Response Time)及双稳态(Bi-Stable)特性，将可应用于显示器的面板，特别是用在可携式(Portable)产品，例如移动电话(Mobile Phone)、个人数字助理(PDA)、可携式电脑(Portable Computer)等上。请参见美国第5,835,255号专利，该专利揭示了一可见光的调整元件(Arrayof Modulation)，即为一光干涉式反射单元，用来作为平面显示器之用。请参见图1A，图1A是绘示已有光干涉式反射单元的剖面示意图。每一个光干涉式反射单元100形成于一基板110之上，包含两道墙(Wall)102及104，两道墙102、104间是由支撑物106所支撑而形成一腔室(Cavity)108。两道墙102、104间的距离，也就是腔室108的高度为D。墙102是为一光入射电极，具有光吸收率，可吸收部分可见光。墙104则是为一光反射电极，利用电压驱动可以使其产生形变。通常利用白光作为此光干涉式反射单元100的入射光源，白光包含可见光频谱范围中各种不同波长(Wave Length，以λ表示)的光线所混成。当入射光穿过墙102而进入腔室108中时，仅有符合公式1.1中波长限制的入射光会在腔体108中产生建设性干涉而被反射输出，其中N为自然数。换句话说，2D＝Nλ1(1.1)当腔室108的两倍高度2D满足入射光波长λ1的整数倍时，即可使此入射光波长λ1在此腔室108中产生建设性干涉，而输出该波长λ1的反射光。此时，观察者的眼睛顺着入射光入射墙102的方向观察，可以看到波长为λ1的反射光，因此，对光干涉式反射单元100而言是处于″开″的状态，即为一亮态状态。图1B是绘示图1A中的光干涉式反射单元100在加上电压后的剖面示意图。请参照图1B，在电压的驱动下，墙104会因为静电吸引力而产生形变，向墙102的方向塌下。此时，两道墙102、104间的距离，也就是腔室108的高度并不为零，而是为d，且此d可以等于零。也就是说，公式1.1中的D将以d置换，入射光中所有光线的波长中，仅有符合公式1.1的波长(λ2)可以在腔体108中产生建设性干涉，经由墙104的反射穿透墙102而输出。在此光干涉式反射单元100中，墙102被设计成对波长为λ2的光具有较高的光吸收率，因此入射光中的所有光线均被滤除，对顺着入射光入射墙102的方向观察的观察者而言，将不会看到任何的光线被反射出来。因此，此时对光干涉式反射单元100而言是处于″关″的状态，即为一暗态状态。如上所述，在电压的驱动下，墙104会因为静电吸引力而产生形变，向墙102的方向塌下，使得此光干涉式反射单元100由″开″的状态切换为″关″的状态。而当光干涉式反射单元100要由″关″的状态切换为″开″的状态时，则必须先移除用以驱动墙104形变的电压，接着，依靠自己本身的形变恢复力，失去静电吸引力作用的墙104会恢复成如图1A的原始的状态，使此光干涉式反射单元100呈现一″开″的状态。图2A是绘示已有利用被动阵列驱动的光干涉式反射结构的示意图。如图2A所示，此光干涉式反射结构200，为一显示面板的一部份，包含多个光干涉式反射单元。该光干涉式反射单元是由列状排列的光入射电极线202a、202b与202c以及行状排列的光反射电极线204a、204b与204c相互垂直排列所构成。图2B为沿图2A中的剖面线AA′所得的剖面图，其绘示出三个光干涉式反射单元，分别由光反射电极204a、204b与204c线与光入射电极线202a所构成的。如前所述，图2B中的光反射电极线204a、204b与204c与光入射电极线202a之间，是由支撑物206来支撑以形成腔室，以供光在其中产生干涉。图3A是绘示已有光干涉式反射结构的示意图，其中反射结构具有一短路的光干涉式反射单元302。图3B则为沿图3A中的剖面线BB′所得的剖面图，剖面线BB′是切过上述的短路的光干涉式反射单元302。由于图3A中的光干涉式反射单元302是利用被动阵列的方式来驱动，因此用来使光干涉式反射单元302产生形变的电位差，必须由光反射电极线204d以及光入射电极线202a两者的电位一同来决定。光干涉式反射单元302会由于其结构上的缺陷，例如位于光干涉式反射单元302位置的光入射电极线202a，其介电层部分具有破洞等，造成其上下两电极线因破洞而相互接触并产生短路(如图3B所示)。这种短路会造成不必要的电压降，进而影响到与其同行(光反射电极线204d)或同列(光入射电极线202a)的其他光干涉式反射单元的电位差，造成整个反射结构在操作时的显示错误。如上所述，利用被动阵列来驱动的光干涉式反射结构，通常是由多个光干涉式反射单元所组合而成，其中该光干涉式反射单元是由多个光入射电极线以及多个光反射电极线相互垂直排列而构成。此时光入射电极线以及光反射电极线两者的电位，两者的差值即为在其所构成的光干涉式反射单元上所施加的电位差，因此可用以控制此光干涉式反射单元的开关状态。然而，若是光干涉式反射结构中的一光干涉式反射单元发生短路，这单一单元的短路却会影响到多个与其同行与同列的光干涉式反射单元所被施加的电位，使得其他的光干涉式反射单元无法依照预定的电位差来操作，因而造成整个光干涉式反射结构在显示上严重的问题。
技术实现思路
因此本专利技术的目的是提供一种光干涉式反射结构，利用其中可供切断的连接部分隔绝短路的光干涉式反射单元，避免其影响其他正常的光干涉式反射单元的正常操作。本专利技术的另一目的是提供一种光干涉式反射结构的修理方法，用以切断其中短路光干涉式反射单元与其他正常光干涉式反射单元的电性连接。本专利技术的又一目的是提供一种光干涉式反射单元，此光干涉式反射单元的电极具有分开的显示部分与导线部分，当其显示部分发生短路时，切断此显示部分与导线部分之间的电性连接，便可避免此短路的光干涉式反射单元影响到整个光干涉式显示结构的整体操作。根据本专利技术一方面提出一种光干涉式反射单元。本专利技术的光干涉式反射单元具有一光入射电极以及一光反射电极，此两电极之一或两者均包含一显示部分以及一导线部分，且此显示部分与导线部分利用一连接部分相互电性连接。将多个上述的光干涉式反射单元排列成一矩阵并相互组合后，可形成一光干涉式反射结构。该光干涉式反射单元的该光入射电极，是以其导线部分相互连结，以形成多个第一电极线结构；或者是该光干涉式反射单元的该光反射电极间，是以其导线部分相互连结，以形成多个第二电极线结构，其中该第一与第二电极线结构是相互垂直排列。因此，当光干涉式反射结构中的任一光干涉式反射单元的显示部分发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光干涉式反射结构，包含：多个光干涉式反射单元，其中每一光干涉式反射单元包含：第一电极，其具有第一显示部分、第一导线部分与至少一个第一连接部分，所述第一显示部分与所述第一导线部分之间通过所述第一连接部分电性连接；第 二电极；以及支撑物，其位于所述第一电极以及所述第二电极之间形成一腔室；其中所述第一电极之间是利用所述第一导线部分电性连接，以形成多个第一电极线，且进一步其中所述第一或所述第二电极中的至少一部分经配置在施加电压时弯折。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪柏钟，蔡熊光，林文坚，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]