弹性波装置制造方法及图纸

提供能抑制通带外的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备高声速支承基板(3)、设置在高声速支承基板(3)上的低声速膜(4)、设置在低声速膜(4)上的压电体层(5)和设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在高声速支承基板(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高。在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的体波的声速低。低声速膜(4)具有第1部分(A)和位于比第1部分(A)更靠高声速支承基板(3)侧的第2部分(B)。第1部分(A)及第2部分(B)由同种材料构成。在将低声速膜(4)的第1部分(A)处的密度设为ρ

【技术实现步骤摘要】
弹性波装置
本专利技术涉及弹性波装置。
技术介绍
以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1公开了弹性波装置的一例。该弹性波装置具有：层叠体，依次层叠有高声速支承基板、低声速膜以及压电膜；和IDT(InterdigitalTransducer，叉指换能器)电极，设置在压电膜上。通过设置如上述那样的层叠体，从而可提高Q值。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/086639号然而，若将专利文献1记载的弹性波装置用作滤波器，则会在滤波器的通带外产生杂散(spurious)，从而存在滤波器特性劣化之虞。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种能够抑制通带外的杂散的弹性波装置。用于解决课题的手段本专利技术涉及的弹性波装置具备：高声速支承基板；低声速膜，设置在所述高声速支承基板上；压电体层，设置在所述低声速膜上；和IDT电极，设置在所述压电体层上，在所述高声速支承基板传播的体波(Bulkwave)的声速比在所述压电体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：/n高声速支承基板；/n低声速膜，设置在所述高声速支承基板上；/n压电体层，设置在所述低声速膜上；和/nIDT电极，设置在所述压电体层上，/n在所述高声速支承基板传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，/n在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低，/n所述低声速膜具有第1部分、和位于比所述第1部分更靠所述高声速支承基板侧的第2部分，所述第1部分以及所述第2部分由同种材料构成，/n在将所述低声速膜的所述第1部分处的密度设为ρ

【技术特征摘要】
20190606 JP 2019-1061061.一种弹性波装置，具备：
高声速支承基板；
低声速膜，设置在所述高声速支承基板上；
压电体层，设置在所述低声速膜上；和
IDT电极，设置在所述压电体层上，
在所述高声速支承基板传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高，
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低，
所述低声速膜具有第1部分、和位于比所述第1部分更靠所述高声速支承基板侧的第2部分，所述第1部分以及所述第2部分由同种材料构成，
在将所述低声速膜的所述第1部分处的密度设为ρ1，将所述第2部分处的密度设为ρ2时，所述密度ρ1和所述密度ρ2不同。


2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述低声速膜具有第1层、和位于比所述第1层更靠所述高声速支承基板侧且密度与所述第1层不同的第2层，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩本英树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP