【技术实现步骤摘要】
热处理基座本申请是申请日为2015年4月28日、申请号为201580023377.1、专利技术名称为“热处理基座”的专利技术专利申请的分案申请。领域本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板的热处理的基座，且更特定地，涉及具有特征以改良处理期间跨过基板的热均匀性的基座。背景处理半导体基板用于广泛多样的应用，包含集成装置及微装置的制造。处理基板的一个方法包含沉积材料(例如，介电材料或导电金属)于基板的上表面上。外延是使用于长成薄、超纯层的一种沉积处理，通常为处理腔室中基板表面上的硅或锗。外延处理能够通过维持高均匀性处理条件(例如，处理腔室内的温度、压力、及流动率)而产生这样质量的层。在基板上表面附近区域中维持高均匀性的处理条件对于产生高质量层为必要的。通常在外延处理中使用基座以支撑基板以及加热基板至一高均匀性温度。基座通常具有用于从下方绕着基板边缘支撑基板的椭圆盘或盘状上表面，而留下基板剩余下表面及基座上表面之间的小空隙。精确控制加热来源(例如，设置于基座下方的多个加热照射器)允许基座在非常严格的公差内被加热。加热的基座...
【技术保护点】
1.一种用于热处理腔室的基座，包括：/n内盘，所述内盘包含内部部分和外部凹陷，所述内部部分具有第一上表面，所述外部凹陷具有位于所述第一上表面下方的第二上表面；/n外轮缘，所述外轮缘环绕且耦合至所述内盘，所述外轮缘具有内边缘及外边缘；/n环状脊部，所述环状脊部从所述内盘的所述外部凹陷的所述第二上表面延伸，并在距所述内盘的中央的径向距离处环绕所述内盘的所述中央，其中所述环状脊部的高度随着距所述内盘的所述中央的距离增加而先增加后减小；以及/n一系列凸缘，所述一系列凸缘从所述内盘的所述第一上表面延伸，其中所述一系列凸缘的每个凸缘延伸至位于所述环状脊部的顶表面下方的顶部高度。/n
【技术特征摘要】
20140521 US 62/001,5621.一种用于热处理腔室的基座，包括：
内盘，所述内盘包含内部部分和外部凹陷，所述内部部分具有第一上表面，所述外部凹陷具有位于所述第一上表面下方的第二上表面；
外轮缘，所述外轮缘环绕且耦合至所述内盘，所述外轮缘具有内边缘及外边缘；
环状脊部，所述环状脊部从所述内盘的所述外部凹陷的所述第二上表面延伸，并在距所述内盘的中央的径向距离处环绕所述内盘的所述中央，其中所述环状脊部的高度随着距所述内盘的所述中央的距离增加而先增加后减小；以及
一系列凸缘，所述一系列凸缘从所述内盘的所述第一上表面延伸，其中所述一系列凸缘的每个凸缘延伸至位于所述环状脊部的顶表面下方的顶部高度。
2.如权利要求1所述的基座，其中所述环状脊部位于所述外轮缘的所述内边缘的0.5mm内。
3.如权利要求1所述的基座，其中所述一系列凸缘包括至少三个凸缘。
4.如权利要求3所述的基座，其中所述内盘没有对分包括所述至少三个凸缘的所有凸缘。
5.如权利要求1所述的基座，其中所述环状脊部包括碳化硅。
6.如权利要求1所述的基座，其中所述环状脊部包括石墨涂覆碳化硅。
7.一种用于热处理腔室的基座，包括：
内盘；
外轮缘，所述外轮缘环绕且耦合至所述内盘，所述外轮缘具有内边缘及外边缘；
多个同心环状脊部，所述多个同心环状脊部从所述内盘的上表面延伸并环绕所述内盘的中央，各环状脊部具有相异的直径；
两个或更多个轮辐，所述两个或更多个轮辐从所述内盘的所述中央延伸至所述外轮缘的所述内边缘，各轮辐延伸至绕着所述外轮缘的所述内边缘的相异环状位置；以及
具角度表面，所述具角度表面将所述内盘直接连接至所述外轮缘，其中
所述内盘由从所述内盘的所述中央朝向所述外轮缘延伸的第一半径界定，
所述多个同心环状脊部的两个或更多个位于所述内盘的中央区域内，
所述内盘的所述中央区域由从所述内盘的所述中央延伸的第二半径界定，并且
所述第二半径介于所述第一半径的10％和50％之间。
8.如权利要求7所述的基座，其中各轮辐的顶表面在各同心环状脊部的顶部上方延伸。
9.如权利要求7所述的基座，其中所述多个同心环状脊部包括至少十个同心环状脊部。
10.如权利要求7所述的基座，其中所述多个同心环状脊部包括至少二十五个同心环状脊部。
11.一种用于热处理腔室的基座，包括：
内盘；
外轮缘，所述外轮缘环绕且耦合至所述内盘...
【专利技术属性】
技术研发人员：安哈图·恩戈，朱作明，巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷，保罗·布里尔哈特，埃德里克·唐，常安忠，建·彭·陆，卡尔蒂克·萨哈，舒伯特·S·楚，丛者澎，詹姆斯·弗朗西斯·麦克，尼伊·O·妙，凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔，李学斌，黄奕樵，叶祉渊，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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