用于集成电路制造的方法技术

一种用于集成电路制造的方法包括在衬底的外部形成金属材料。至少大部分(即高达并且包括100％)的所述金属材料含有元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌。在所述含钌金属材料的外部形成掩模材料。所述掩模材料包括九种具体列举的材料或材料类别中的至少一种。当蚀刻穿过所述含钌金属材料的暴露部分以形成包括所述含钌金属材料的集成电路的特征件时，将所述掩模材料用作掩模。

【技术实现步骤摘要】
用于集成电路制造的方法
本文公开的实施例涉及用于集成电路制造的方法。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路，并且在计算机系统中用于存储数据。可以以单个存储器单元的一或多个阵列制造存储器。可以使用数字线(也可以称为位线、数据线或感测线)和访问线(也可以称为字线)写入或读取存储单元。数字线可以沿阵列的列将存储单元导电互连，并且访问线可以沿阵列的行将存储单元导电互连。可以通过数字线和访问线的组合来唯一地寻址每个存储单元。存储单元可以是易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储单元可以在没有电源的情况下长期地存储数据。传统上将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性内存消散，并且因此需要刷新/重写以维护数据存储。易失性存储器的保留时间为几毫秒或更短。无论如何，存储单元被配置成以至少两个不同的可选状态来保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些单独的存储单元可以被配置成存储两个以上级别或状态的信息。电容器是可以在存储单元中使用的一种电子部件。电容器具有由电绝缘材料隔开的两个电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于集成电路制造的方法，包括：/n在衬底的外部形成金属材料；至少大部分所述金属材料含有元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌；/n在所述含钌金属材料的外部形成掩模材料，所述掩模材料包括以下至少一种：/n除元素形式或合金形式中的至少一种形式的钌以外的难熔金属；/n除RuN以外的难熔金属氮化物；/n除RuO

【技术特征摘要】
20190606 US 16/433,9661.一种用于集成电路制造的方法，包括：
在衬底的外部形成金属材料；至少大部分所述金属材料含有元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌；
在所述含钌金属材料的外部形成掩模材料，所述掩模材料包括以下至少一种：
除元素形式或合金形式中的至少一种形式的钌以外的难熔金属；
除RuN以外的难熔金属氮化物；
除RuO2和RuO4以外的难熔金属氧化物；
除Ru2Si、Ru4Si3、RuSi和Ru2Si3以外的难熔金属硅化物；
除RuC以外的难熔金属碳化物；
元素形式或合金形式中的至少一种形式的铝；
AlNx；
AlOx；或
AlCx；以及
当蚀刻穿过所述含钌金属材料的暴露部分以形成包括所述含钌金属材料的集成电路的特征件时，使用所述掩模材料作为掩模。


2.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括除元素形式或合金形式中的至少一种形式的钌以外的所述难熔金属。


3.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括除RuN以外的所述难熔金属氮化物。


4.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括除RuO2和RuO4以外的所述难熔金属氧化物。


5.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括除Ru2Si、Ru4Si3、RuSi和Ru2Si3以外的所述难熔金属硅化物。


6.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括除RuC以外的所述难熔金属碳化物。


7.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括元素形式或合金形式中的至少一种形式的所述铝。


8.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括所述AlNx。


9.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括所述AlOx。


10.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括所述AlCx。


11.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括铪、钛、钽或钨中的一种。


12.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括TiN。


13.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，包括在所述蚀刻之后去除所有剩余的所述掩模材料。


14.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，包括在所述含钌金属材料和所述衬底之间提供除RuN以外的难熔金属氮化物，所述掩模材料的所述难熔金属氮化物的最小厚度是位于所述含钌金属材料和所述衬底之间的所述难熔金属氮化物的最小厚度的至少两倍。


15.根据权利要求14所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括与所述含钌金属材料和所述衬底之间的所述难熔金属氮化物相同的难熔金属氮化物。


16.根据权利要求15所述的用于集成电路制造的方法，其中所述难熔金属氮化物包括TiN。


17.根据权利要求14所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料包括与所述含钌金属材料和所述衬底之间的所述难熔金属氮化物不同的难熔金属氮化物。


18.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述蚀刻期间的所述掩模材料基本上由以下所述至少之一组成：
除元素形式或合金形式中的至少一种形式的钌以外的所述难熔金属；
除RuN以外的所述难熔金属氮化物；
除RuO2和RuO4以外的所述难熔金属氧化物；
除Ru2Si、Ru4Si3、RuSi和Ru2Si3以外的所述难熔金属硅化物；
除RuC以外的所述难熔金属碳化物；
元素形式或合金形式中的至少一种形式的铝；
AlNx；
AlOx；或
AlCx。


19.根据权利要求18所述的用于集成电路制造的方法，其中所述掩模材料的最小厚度为至少100埃。


20.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述蚀刻期间的所述掩模材料包括位于所述以下至少之一外部的碳：
除元素形式或合金形式中的至少一种形式的钌以外的所述难熔金属；
除RuN以外的所述难熔金属氮化物；
除RuO2和RuO4以外的所述难熔金属氧化物；
除Ru2Si、Ru4Si3、RuSi和Ru2Si3以外的所述难熔金属硅化物；
除RuC以外的所述难熔金属碳化物；
元素形式或合金形式中的至少一种形式的铝；
AlNx；
AlOx；或
AlCx。


21.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述特征件包括水平延伸的导线。


22.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述金属材料基本上由元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌组成。


23.根据权利要求1所述的用于集成电路制造的方法，其中所述金属材料由元素形...

【专利技术属性】
技术研发人员：瑞英，刘彤，李宜芳，D·科隆博，S·博尔萨里，A·约翰逊，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US