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一种用于集成电路制造的方法包括在衬底的外部形成金属材料。至少大部分(即高达并且包括100％)的所述金属材料含有元素形式、金属化合物形式或合金形式中的至少一种形式的钌。在所述含钌金属材料的外部形成掩模材料。所述掩模材料包括九种具体列举的材料或...
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