基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：根据FDSOI MOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；将BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOI MOSFET器件模型。通过本发明专利技术大幅度提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。

【技术实现步骤摘要】
基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及装置
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及装置。
技术介绍
集成电路设计时必须考虑其高可靠性、高性能、低成本的要求，而在集成电路CAD软件中，MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的器件模型是将IC设计和IC产品功能与性能联系起来的关键纽带。伴随着集成器件尺寸越来越小，集成规模越来越大，集成电路工序越来越复杂，对器件模型的精度要求也越来越高。目前，业界能够用于FDSOI(FullyDepleted-Silicon-On-Insulator，全耗尽绝缘体上硅)，目前建立的MOSFE器件模型在背栅偏置大到足以使背沟道开启时，模型的精度将会急剧变差。
技术实现思路
鉴于现有技术存在上述技术问题，本专利技术实施例提供一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及装置。<br>第一方面，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法，其特征在于，包括：/n根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；/n基于所述正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于所述背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；/n将所述BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与所述BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOI MOSFET器件模型。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法，其特征在于，包括：
根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；
基于所述正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于所述背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；
将所述BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与所述BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOIMOSFET器件模型。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数，包括：
在所述FDSOIMOSFET器件的背沟道处于未开启状态下，提取所述FDSOIMOSFET器件的正沟道模型参数；
在所述FDSOIMOSFET器件的正沟道处于未开启状态下，提取所述FDSOIMOSFET器件的背沟道模型参数。


3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提取所述FDSOIMOSFET器件的背沟道模型参数，包括：
提取所述FDSOIMOSFET器件的背栅氧厚度作为所述BSIMSOI背沟道器件模型的栅氧厚度，以及
提取所述FDSOIMOSFET器件的栅氧厚度作为所述BSIMSOI背沟道器件模型的背栅氧厚度，以及
提取所述FDSOIMOSFET器件的背沟道电流作为所述BSIMSOI背沟道器件模型的正沟道电流。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与所述BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOIMOSFET器件模型，包括：
将正栅压加到所述BSIMSOI背沟道器件模型的背栅上，将背栅压加到所述BSIMSOI背沟道器件模型的正栅上，以及将漏电压加到所述BSIMSOI背沟道器件模型的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜建辉，王可为，李多力，李博，李彬鸿，刘海南，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11