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本发明公开了一种基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：根据FDSOI MOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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