SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。本发明专利技术可以更加敏感且全面地反映经过高温高湿反偏应力环境下应力后SiC JBS二极管的损伤程度。

【技术实现步骤摘要】
SiCJBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种SiCJBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法。
技术介绍
因SiCJBS(Schottky，肖特基二极管)二极管优越的性能使得其工作环境复杂多样，不仅能应用在一般的电力电子系统中，还可应用在空间技术、核能、风能和军用武器等国家重大工程建设中，相对于Si基器件，SiCJBS二极管的工作环境更加严苛。SiCJBS二极管在应用过程中，可能会经历强热、强电、强辐射等工作环境，使电子元器件在内部某些位置发生各种化学或物理的变化及效应。这些内在的机制会对SiCJBS二极管的正常工作构成威胁，造成器件性能退化与失效，这就要求SiCJBS二极管应具备更强的可靠性，因此对其可靠性的研究具有重要的意义。国内外对SiCJBS二极管的可靠性研究颇多，多个相关专利报道了SiCJBS二极管的可靠性问题，比如高温高湿反偏应力下的可靠性，而对SiCJBS二极管可靠性的表征研究却比较少，大部分器件可靠性采用电参数表征，在某些应用环境下，该方法不是很有效。>2018年VDEV本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，包括：/n获取表面完整的第一SiC JBS二极管；/n测量所述第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数；/n测量所述第一SiC JBS二极管的初始噪声特性参数；/n对所述第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间，得到第二SiC JBS二极管；/n测量所述第二SiC JBS二极管的电学特性参数；/n测量所述第二SiC JBS二极管的噪声特性参数；/n根据所述第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数和所述第二SiC JBS二极管的电学特性参数得到电学特性参数漂移程度；/n根据所述第一SiC...

【技术特征摘要】
1.一种SiCJBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，包括：
获取表面完整的第一SiCJBS二极管；
测量所述第一SiCJBS二极管的初始电学特性参数；
测量所述第一SiCJBS二极管的初始噪声特性参数；
对所述第一SiCJBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间，得到第二SiCJBS二极管；
测量所述第二SiCJBS二极管的电学特性参数；
测量所述第二SiCJBS二极管的噪声特性参数；
根据所述第一SiCJBS二极管的初始电学特性参数和所述第二SiCJBS二极管的电学特性参数得到电学特性参数漂移程度；
根据所述第一SiCJBS二极管的初始噪声特性参数和所述第二SiCJBS二极管的噪声特性参数得到噪声特性参数漂移程度。


2.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，获取表面完整的第一SiCJBS二极管，包括：
获取所述第一SiCJBS二极管；
检查所述第一SiCJBS二极管的外表面，得到表面完整的所述第一SiCJBS二极管。


3.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，测量所述第一SiCJBS二极管的初始电学特性参数，包括：
测量得到所述第一SiCJBS二极管的正向压降、反向漏电流、反向击穿电压。


4.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，测量所述第一SiCJBS二极管的初始噪声特性参数，包括：
测量所述第一SiCJBS二极管的噪声；
根据所述第一SiCJBS二极管的噪声得到所述第一SiCJBS二极管的噪声幅值。


5.根据权利要求1所述的高温高湿反偏应力损伤表征方法，其特征在于，对所述第一SiCJBS二极管在预设温度、预...

【专利技术属性】
技术研发人员：游海龙，李文臻，曲程，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：陕西;61