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本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二...该专利属于西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。