绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路制造技术

本发明专利技术涉及电子电路技术领域，提供一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路。脉冲整形电路用于在输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；在输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；比较电路用于在第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第一预设电压大于栅极的电压时，输出低电平；在第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，在第二预设电压小于栅极的电压时，输出低电平；故障输出电路用于在比较电路输出低电平时，输出栅极故障信号。本发明专利技术可以检测绝缘栅双极型晶体管的栅极故障。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路
本专利技术涉及电子电路
，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT用于的驱动单元具有多个IGBT，当其中一个栅极击穿后，可能导致其他IGBT也被损坏。但是目前无检测IGBT栅极故障的技术。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提出一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，以检测绝缘栅双极型晶体管的栅极故障。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，所述电路包括：脉冲整形电路、比较电路以及故障输出电路，其中，所述脉冲整形电路用于将信号输入设备的输入信号整形，且在所述输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；在所述输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；所述比较电路用于：在所述第一方波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述电路包括：/n脉冲整形电路、比较电路以及故障输出电路，其中，/n所述脉冲整形电路用于将信号输入设备的输入信号整形，且/n在所述输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；/n在所述输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；/n所述比较电路用于：/n在所述第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第一预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；/n在所述第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压...

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述电路包括：
脉冲整形电路、比较电路以及故障输出电路，其中，
所述脉冲整形电路用于将信号输入设备的输入信号整形，且
在所述输入信号为高电平时，输出高电平的第一方波信号和低电平的第二方波信号；
在所述输入信号为低电平时，输出低电平的第一方波信号和高电平的第二方波信号；
所述比较电路用于：
在所述第一方波信号为高电平时，将第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第一预设电压大于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；
在所述第二方波信号为高电平时，将第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较，并在所述第二预设电压小于所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压时，输出低电平；
所述故障输出电路用于在所述比较电路输出低电平时，输出栅极故障信号。


2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，所述比较电路包括：
第一三极管、第二三极管、第一比较器和第二比较器，其中，
所述第一三级管用于在所述第一方波信号为高电平时导通；
所述第二三极管用于在所述第二方波信号为高电平时导通；
所述第一比较器与所述第一三极管连接，用于在所述第一三极管导通时，将所述第一预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较；
所述第二比较器与所述第二三极管连接，用于在所述第二三极管导通时，将所述第二预设电压与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极的电压比较。


3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的栅极检测电路，其特征在于，该电路还包括：
光耦隔离电路，连接在所述信号输入设备和所述脉冲整形电路之间，用于对所述输入信号进行光电隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：商蔓，徐春新，赵喜阳，
申请(专利权)人：长城汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13