【技术实现步骤摘要】
具有自调节磁场结构的磁控溅射靶、镀制薄膜装置及方法
本专利技术涉及磁控溅射
,具体地,涉及一种具有自调节磁场结构的磁控溅射靶、镀制薄膜装置及方法。
技术介绍
磁控溅射镀膜技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法,被广泛地应用于许多方面,特别是在微电子、光学薄膜、航天用热控薄膜、材料表面处理领域中,用于薄膜沉积和表面功能层制备。磁控溅射技术得以广泛的应用,是由该技术有别于其它镀膜方法的特点所决定的,其特点可归纳为:沉积速率高、功率效率高、对基体损伤小、基体温度低、结合强度较高、可重复性好。磁控溅射靶是磁控溅射镀膜技术中的核心部件,磁控溅射靶的优劣影响着制备膜层的质量。磁控溅射靶主要由靶体、靶材、水冷结构和磁场结构组成。其中,磁控溅射靶中的磁场结构是整个部件的关键所在,磁场结构的作用是在靶材表面上方形成平行于靶面、且强度高于200Gs的水平磁场,从而为磁控溅射靶的正常辉光放电提供必要条件。由于大多数磁控溅射靶的磁力线并不平行于靶材表面,而是在靶材表面呈拱形分布,这种磁场分布会在靶材表面形成等离子体磁聚现象。在实际 ...
【技术保护点】
1.一种具有自调节磁场结构的磁控溅射靶,其特征在于,包括:靶体、磁场结构、靶材(5)和水冷结构,/n所述靶体与所述靶材(5)紧固连接,所述靶材(5)与水冷结构紧固连接;/n所述磁场结构以磁控溅射靶轴心线作轴对称设置于靶材(5)的下方;/n所述磁场结构包括电磁线圈(8),通过改变电磁线圈(8)的电流值,能够改变磁控溅射靶的磁场分布和磁场强度;/n所述水冷结构包括水冷背板(6),水冷背板(6)上设置的进水通道和出水通道呈间隔分布。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有自调节磁场结构的磁控溅射靶,其特征在于,包括:靶体、磁场结构、靶材(5)和水冷结构,
所述靶体与所述靶材(5)紧固连接,所述靶材(5)与水冷结构紧固连接;
所述磁场结构以磁控溅射靶轴心线作轴对称设置于靶材(5)的下方;
所述磁场结构包括电磁线圈(8),通过改变电磁线圈(8)的电流值,能够改变磁控溅射靶的磁场分布和磁场强度;
所述水冷结构包括水冷背板(6),水冷背板(6)上设置的进水通道和出水通道呈间隔分布。
2.根据权利要求1所述的具有自调节磁场结构的磁控溅射靶,其特征在于,所述靶体包括屏蔽罩(1)、第一靶壳(2)、第二靶壳(15)、靶材压环(4)和靶座(11),所述靶材(5)通过靶材压环(4)固定在水冷背板(6)上,所述第一靶壳(2)和第二靶壳(15)通过紧固件固定在靶座(11)上,所述屏蔽罩(1)通过连接件固定在第一靶壳(2)上。
3.根据权利要求2所述的具有自调节磁场结构的磁控溅射靶,其特征在于,所述磁场结构还包括中心磁环(10)、电磁线圈绝缘套(7)和中心磁环绝缘套(9),所述电磁线圈(8)和中心磁环(10)设置在靶座(11)的下方,分别通过电磁线圈绝缘套(7)和中心磁环绝缘套(9)与靶座(11)隔开。
4.根据权利要求2所述的具有自调节磁场结构的磁控溅射靶,其特征在于,所述磁场结构还包括侧磁环(14)和侧磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔宏,李灿伦,倪俊,王松超,郭腾,范秋林,李辉,靳兆峰,颜世访,
申请(专利权)人:上海卫星装备研究所,
类型:发明
国别省市:上海;31
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