一种Al2O3陶瓷基片的制造方法技术

本发明专利技术属于一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于制造步骤如下A.将基片原料进行球磨作业，制成基片粉料；B.将基片粉料进行烘干，烘干后进行除铁；C.将步骤B中得到的基片粉料与沾合剂进行混合成型；D.将初步混合成型的粉料进行初碾；E.将步骤D中初碾的粉料进行精碾，精碾过后进行尺寸检测；F.待步骤E中尺寸检测合格之后进行冲片步骤；G.对步骤F中冲片之后的初成片进行尺寸检测，将不合格的初成片选出；H.对步骤G中得到的合格成片进行生烧，生烧之后进行尺寸检测,所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时。

【技术实现步骤摘要】
一种Al2O3陶瓷基片的制造方法
本专利技术属于半导体
，具体为一种Al2O3陶瓷基片的制造方法。
技术介绍
随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。低氧铜烧结DBC半导体热电基片由于具有高导热性、高电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点，因此被广泛应用于航天、军工、汽车等特殊电子行业，用来做功率芯片的绝缘与散热。现有工艺是采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的覆铜烧结，其中无氧铜氧化处理工艺复杂难以控制氧化的一致性，所以价格十分昂贵，无氧铜烧结DBC半导体热电基片售价是低氧铜烧结DBC半导体热电基片售价的5倍左右。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足，本专利技术提供了一种Al2O3陶瓷基片的制造方法。一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于制造步骤如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于制造步骤如下：/nA.将基片原料进行球磨作业，制成基片粉料；/nB.将基片粉料进行烘干，烘干后进行除铁；/nC.将步骤B中得到的基片粉料与沾合剂进行混合成型；/nD.将初步混合成型的粉料进行初碾；/nE.将步骤D中初碾的粉料进行精碾，精碾过后进行尺寸检测；/nF.待步骤E中尺寸检测合格之后进行冲片步骤；/nG.对步骤F中冲片之后的初成片进行尺寸检测，将不合格的初成片选出；/nH.对步骤G中得到的合格成片进行生烧，生烧之后进行尺寸检测,所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；/nI....

【技术特征摘要】
1.一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于制造步骤如下：
A.将基片原料进行球磨作业，制成基片粉料；
B.将基片粉料进行烘干，烘干后进行除铁；
C.将步骤B中得到的基片粉料与沾合剂进行混合成型；
D.将初步混合成型的粉料进行初碾；
E.将步骤D中初碾的粉料进行精碾，精碾过后进行尺寸检测；
F.待步骤E中尺寸检测合格之后进行冲片步骤；
G.对步骤F中冲片之后的初成片进行尺寸检测，将不合格的初成片选出；
H.对步骤G中得到的合格成片进行生烧，生烧之后进行尺寸检测,所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
I.对步骤H中生烧过后尺寸合格的成片进行密度检测，密度检测合格之后进行除砂步骤；
J.对步骤I中合格除砂之后的成片进行筛选，之后进行压烧；
K.对步骤J中压烧完成的成片根据合格尺寸进行打磨；
L.对步骤K中得到的成片进行煅烧之后得到成品的Al2O3陶瓷基片。


2.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于：所述步骤C中成型时间为50--55分钟。


3.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于：所述步骤J中压烧分为四个阶段，压烧的温度范围为50--1200℃。


4.根据权利要求3所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法，其特征在于：所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第...

【专利技术属性】
技术研发人员：田茂标，刘瑞生，周伟，杨海蓉，
申请(专利权)人：成都万士达瓷业有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51