【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
ＧａＡｓ上微／纳光学元件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）选用具有微／纳光学阵列的石英作为原始母版，通过热压印技术将石英微／纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，随后对高分子材料进行前处理；２）通过磁控溅射镀 膜法将步骤１中制备的高分子材料表面依次溅射Ｔｉ层和Ｐｔ层，使其表面金属化，得到高分子材料／Ｔｉ／Ｐｔ组成的模板电极，该模板电极也就是加工工具，Ｔｉ层的厚度为５～１０ｎｍ，Ｐｔ层的厚度为２０～３０ｎｍ；３）将步骤２制备的模板电极固定在 电解池底部作为工作电极；４）调节模板电极与被加工工件ＧａＡｓ片平行，通过驱动装置控制加工过程中模板电极和ＧａＡｓ片之间由于接触产生的力值始终为５～６ｍＮ／ｍｍ↑［２］；５）将电化学刻蚀溶液加入电解池，启动电化学系统，在模板电 极上通过电化学反应产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；６）通过压电陶瓷驱动装置控制ＧａＡｓ片逐步向模板电极表面移动，由于模板电极上的约束刻蚀剂层对ＧａＡｓ有刻蚀作用，模板电极上的互补结构就逐渐 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汤儆，张力，马信洲，田昭武，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]
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