【技术实现步骤摘要】
一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置及其使用方法
本专利技术涉及工业硅冶炼
,具体为一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置及其使用方法。
技术介绍
工业硅又称金属硅,它的出现与半导体行业的兴起有关。国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅。金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品,主成分硅元素的含量在98%左右(含Si量99.99%的也包含在金属硅内),其余杂质为铁、铝、钙等。半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅。是以多晶、单晶形态出售,前者价廉,后者价昂。因其用途不同而划分为多种规格。据统计,1985年全世界共消耗金属硅约50万吨,其中用于铝合金的金属硅约占60%,用于有机硅的不足30%,用于半导体的约占3%,其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等,而工业硅在生产时,电炉会发出高温的烟气。存在的大部分电炉高温的烟气通过表冷管进行自然冷却,烟气降温效果较差,进入布袋的烟气温度长期高达280℃,有时瞬时高达300℃,超过了高温布袋的使用温度,布袋使用寿命下降,成本上升,一些采取打开风机入口混风阀进行降温,但造成电炉除尘系统抽风不够,烟气存在外溢现象,因此,针对上述问题提出一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置及其使用方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置及其使用方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,包括管道、散热回收处理装置、可调节式导热板装置和双介质气雾降温装置,所述管 ...
【技术保护点】
1.一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,包括管道(1)、散热回收处理装置(2)、可调节式导热板装置(3)和双介质气雾降温装置(4),其特征在于:所述管道(1)的底端安装有呈左右设置的散热回收处理装置(2)和双介质气雾降温装置(4),所述散热回收处理装置(2)和双介质气雾降温装置(4)的另一端均安装在管道(1)的内侧,所述散热回收处理装置(2)的一端连通有可调节式导热板装置(3),所述双介质气雾降温装置(4)包括中间水池(5)、喷水管(6)、高压气管(7)、水泵(8)和双流介质喷枪(9),所述管道(1)的内侧安装有双流介质喷枪(9),所述双流介质喷枪(9)的一端连通有喷水管(6)和高压气管(7),所述喷水管(6)的另一端连通有水泵(8),所述水泵(8)的输入端与中间水池(5)连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,包括管道(1)、散热回收处理装置(2)、可调节式导热板装置(3)和双介质气雾降温装置(4),其特征在于:所述管道(1)的底端安装有呈左右设置的散热回收处理装置(2)和双介质气雾降温装置(4),所述散热回收处理装置(2)和双介质气雾降温装置(4)的另一端均安装在管道(1)的内侧,所述散热回收处理装置(2)的一端连通有可调节式导热板装置(3),所述双介质气雾降温装置(4)包括中间水池(5)、喷水管(6)、高压气管(7)、水泵(8)和双流介质喷枪(9),所述管道(1)的内侧安装有双流介质喷枪(9),所述双流介质喷枪(9)的一端连通有喷水管(6)和高压气管(7),所述喷水管(6)的另一端连通有水泵(8),所述水泵(8)的输入端与中间水池(5)连通。
2.根据权利要求1所述的一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,其特征在于:所述双流截止喷枪(9)的喷洒角度为100-120度。
3.根据权利要求1所述的一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,其特征在于:所述散热回收处理装置(2)和双介质气雾降温装置(4),的两侧均设有温度传感器(10),且温度传感器(10)安装在管道(1)的内侧,所述管道(1)的底侧设有控制主柜(11),且控制住主柜(11)与温度传感器(10)电性连接。
4.根据权利要求1所述的一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,其特征在于:所述散热回收处理装置(2)包括保温水箱(12)、散热管(13)、散热片(14)、风机(15)、出水管(16)和进水管(17),所述保温水箱(12)的一侧通过增压泵连通有散热管(13),所述散热管(13)的外侧固定连接有散热片(14),所述散热片(14)之间固定连接有支柱(18),所述散热片(14)的左侧安装有散热风机(15),所述保温水箱(12)的右端面连通有呈上下设置的进水管(17)和出水管(16),所述散热管(13)的顶端和保温水箱(12)的顶端军连通有四通阀(19),所述四通阀(19)的另一端连通有连接管(20),所述连接管(20)的另一端连通有可调节式导热板装置(3)。
5.根据权利要求4所述的一种降低工业硅冶炼烟气温度的装置,其特征在于:所述连接管(20)是由耐...
【专利技术属性】
技术研发人员:毕红兴,卢国洪,文建华,杨贵明,王正勇,张塾康,徐福昌,王国卫,朱金刚,张庆洪,李永强,梅志能,杨文山,徐加雄,张忠益,高光富,范奉伟,李国阳,康万福,
申请(专利权)人:云南永昌硅业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:云南;53
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