一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，包括工业硅冶炼矿热炉，所述工业硅冶炼矿热炉包括炉身，所述炉身的侧壁上设有炉门，所述炉身的底部设有炉底电极，所述炉身的顶部固定连接有变电环，所述变电环的底侧壁上固定连接有中心自焙电极，所述中心自焙电极和炉底电极之间设有直流电控制系统。本发明专利技术设计合理，构思巧妙，将直流电应用于工业硅冶炼矿热炉上，采用单相中空电极，炉底接电源的一极，炉底既是导电体，又是熔炼坩埚，实现电流直接、稳定的单向对流，且电炉为完全密闭体，整个冶炼在全密闭的环境中进行，能够提高生产效率和质量，减少二氧化硅粉尘排放。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及工业硅冶炼，尤其涉及一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法。

技术介绍

1、传统的工业硅冶炼为半密闭交流冶炼法，主体设备矿热炉为半密闭式，其基本原理采用交流冶炼，交流电通过三相电极产生高温电弧从而熔化炉料得到硅熔体，在生产过程中受炉料电阻及磁力作用的不同，三相电极电流及电压平稳性差，生产效率较低。在生产过程中视炉况变化，需打开炉门进行冶炼盖火作业，操作过程中会大量一氧化硅气体随烟气排出与空气接触氧化变成二氧化硅，造成热量和硅损失。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：

3、一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，包括工业硅冶炼矿热炉，所述工业硅冶炼矿热炉包括炉身，所述炉身的侧壁上设有炉门，所述炉身的底部设有炉底电极，所述炉身的顶部固定连接有变电环，所述变电环的底侧壁上固定连接有中心自焙电极，所述中心自焙电极和炉底电极之间设有直流电控制系统。</p>

4、作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，包括工业硅冶炼矿热炉，其特征在于，所述工业硅冶炼矿热炉包括炉身(16)，所述炉身(16)的侧壁上设有炉门(13)，所述炉身(16)的底部设有炉底电极(8)，所述炉身(16)的顶部固定连接有变电环(5)，所述变电环(5)的底侧壁上固定连接有中心自焙电极(6)，所述中心自焙电极(6)和炉底电极(8)之间设有直流电控制系统。

2.根据权利要求1所述的一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，其特征在于，所述直流电控制系统包括高压电源(1)，所述高压电源(1)电连接有变压器(2)，所述变压器(2)的输出端分别固定连接有第一整流变压器(3)和第二整流变...

【技术特征摘要】

1.一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，包括工业硅冶炼矿热炉，其特征在于，所述工业硅冶炼矿热炉包括炉身(16)，所述炉身(16)的侧壁上设有炉门(13)，所述炉身(16)的底部设有炉底电极(8)，所述炉身(16)的顶部固定连接有变电环(5)，所述变电环(5)的底侧壁上固定连接有中心自焙电极(6)，所述中心自焙电极(6)和炉底电极(8)之间设有直流电控制系统。

2.根据权利要求1所述的一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，其特征在于，所述直流电控制系统包括高压电源(1)，所述高压电源(1)电连接有变压器(2)，所述变压器(2)的输出端分别固定连接有第一整流变压器(3)和第二整流变压器(12)，所述第一整流变压器(3)和第二整流变压器(12)分别电连接有第一整流柜(4)和第二整流柜(11)，所述第一整流柜(4)和第二整流柜(11)的负极输出端通过负极导电线(10)与变电环(5)电连接，所述第一整流柜(4)和第二整流柜(11)的正极输出端均通过正极导电线(9)电连接有引入导电棒(7)，两个所述引入导电棒(7)均固定连接在炉底电极(8)的侧壁上。

3.根据权利要求2所述的一种全密闭直流电炉冶炼工业硅的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：文建华，卢国洪，杨贵明，王正勇，张忠益，李永强，王国卫，张塾康，赵茂庚，杨荣明，董舒猛，沈庆伟，沈兴铝，
申请(专利权)人：云南永昌硅业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：