充放电控制电路、电池管理芯片及电设备制造技术

本公开提供了一种充放电控制电路，控制电路用于控制电池的充电电流和放电电流，其中通过第一连接端和第二连接端为电池进行充电和放电，通过控制充放电控制开关来控制充电和放电，充放电控制开关包括充电控制开关和放电控制开关，充电控制开关和放电控制开关串联在电池与第一连接端之间的或者电池与第二连接端之间的电流路径上。本公开还提供了一种电池管理芯片及电设备。

【技术实现步骤摘要】
充放电控制电路、电池管理芯片及电设备
本公开涉及一种充放电控制电路、电池管理芯片及电设备。
技术介绍
图1给出了现有技术中的用于锂电池保护的过流保护电路。电池正常放电时，保护开关驱动电路的输出OD和OC端口的电压通常为VDD、5V或15V左右，OD和OC分别连接到MOSFETM1和M2的栅极(G)，此时M1和M2工作在线性区，M1和M2的漏极(D)和源极(S)等效为一个导通电阻，电阻值为RON。放电电流Idsg从P-端流向B-端，P-端的电压较高，当检测到P-端与B-端的压差(Idsg*RON)达到某一限定值时，OD电压从VDD变为B-，OC仍保持VDD电位，这样放电开关M1断开。类似地，电池正常充电时，M1、M2的栅极(G)为电池电压VDD。电流从B-端流向P-端，P-端的电压较低，当B-端与P-端的压差(Ichg*RON)达到某一限定值，OC电压从VDD变为B-，OD保持VDD电位，这样充电开关M2断开。但是，MOSFETM1和M2的导通电阻和电池温度、电池电压相关。如果只通过检测B-端与P-端之间的压差来判断是否过流，误差本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充放电控制电路，其特征在于，所述控制电路用于控制电池的充电电流和放电电流，其中通过第一连接端和第二连接端为所述电池进行充电和放电，通过控制充放电控制开关来控制所述充电和放电，所述充放电控制开关包括充电控制开关和放电控制开关，所述充电控制开关和放电控制开关串联在所述电池与所述第一连接端之间的或者所述电池与第二连接端之间的电流路径上，所述控制电路包括：/n充放电控制单元，所述充放电控制单元包括检测单元和比较单元，所述比较单元的第一输入端连接与所述检测单元的第一端的电压相关的电压，所述比较单元的第二输入端连接与所述充放电控制开关的第一端的电压相关的电压，所述检测单元的第二端与所述充放电控制开...

【技术特征摘要】
1.一种充放电控制电路，其特征在于，所述控制电路用于控制电池的充电电流和放电电流，其中通过第一连接端和第二连接端为所述电池进行充电和放电，通过控制充放电控制开关来控制所述充电和放电，所述充放电控制开关包括充电控制开关和放电控制开关，所述充电控制开关和放电控制开关串联在所述电池与所述第一连接端之间的或者所述电池与第二连接端之间的电流路径上，所述控制电路包括：
充放电控制单元，所述充放电控制单元包括检测单元和比较单元，所述比较单元的第一输入端连接与所述检测单元的第一端的电压相关的电压，所述比较单元的第二输入端连接与所述充放电控制开关的第一端的电压相关的电压，所述检测单元的第二端与所述充放电控制开关的第二端连接；以及
控制逻辑单元，所述控制逻辑单元根据所述比较单元所输出的比较结果来对充电控制开关和放电控制开关进行控制，
其中，所述充放电控制开关的导通阻抗值与所述检测单元的导通阻抗值之间的阻抗比值保持恒定。


2.如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于，流经所述充放电控制开关的电流与流经所述检测单元的电流之间的电流比值保持恒定，
或者
流经所述充放电控制开关的电流与流经所述检测单元的电流之间的电流比值独立于系统电压及系统温度，
或者
所述充电控制开关和所述放电控制开关分别为MOS晶体管，
或者
所述检测单元包括一个或多个MOS晶体管，所述检测单元的MOS晶体管与所述充电控制开关和放电控制开关为相同类型的MOS晶体管。


3.如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于，所述检测单元包括NMOS晶体管，并且所述充电控制开关和所述放电控制开关分别为NMOS晶体管，所述检测单元的NMOS晶体管与所述充电控制开关和放电控制开关的NMOS晶体管为相同类型的NMOS晶体管，
或者
在对放电电流进行控制的情况下，所述检测单元的NMOS晶体管的源极连接至所述充放电控制开关的第二端，所述检测单元的NMOS晶体管的漏极连接恒定电流，该恒定电流与电压及温度无关，并且放电电流从所述充放电控制开关的第一端流向第二端，或者当所述充放电控制开关的第一端的电压大于所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压时，所述比较单元的比较结果翻转，并且所述控制逻辑单元控制所述放电控制开关的断开，
或者
在对充电电流进行控制的情况下，所述检测单元的NMOS晶体管的源极连接至所述充放电控制开关的第一端，所述检测单元的NMOS晶体管的漏极连接恒定电流，该恒定电流与电压及温度无关，并且放电电流从所述充放电控制开关的第二端流向第一端，当所述充放电控制开关的第二端的电压大于所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压时，所述比较单元的比较结果翻转，并且所述控制逻辑单元控制所述充电控制开关的断开，
或者
所述检测单元的第一端的电压设定为与所述充放电控制开关的第一端的电压相同。


4.如权利要求1所述的充放电控制电路，其特征在于，还包括镜像电路及比较器，在对放电电流进行控制的情况下，所述检测单元的NMOS晶体管的源极连接至所述充放电控制开关的第二端，所述检测单元的NMOS晶体管的漏极连接至镜像电路，所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压设定为等于所述充放电控制开关的第一端的电压，放电电流从所述充放电控制开关的第二端流向第一端，当所述充放电控制开关的第一端的电压大于所述检测单元的NMOS晶体管的漏极侧的电压时，所述比较单元的比较结果翻转，并且控制所述镜像电路将流经所述检测单元的NMOS晶体管的电流进行镜像以生成镜像电流，并且基于所述镜像电流生成的电压输入至所述比较器的第一输入端，而...

【专利技术属性】
技术研发人员：周号，
申请(专利权)人：珠海迈巨微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：广东;44