一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管、制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管及其制备方法和应用，其采用微机械剥离法、化学/物理气相沉积法在SiO

【技术实现步骤摘要】
一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管、制备方法及其应用
本专利技术涉及微电子和光电探测
，具体涉及一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管、制备方法及其应用。
技术介绍
电探测技术是影响人类现代生活众多技术的核心，极大丰富和方便了人们日常生活，在军事、工业、医学、安防等领域都具有极为广泛而重要的应用。传统薄膜半导体(如Si和InGaAs等)探测器虽工艺成熟，但同时也面临着材料制备困难、工艺复杂、低温工作、成本昂贵等难题。因此，迫切需要发展新材料和新结构，以满足不断提高的光电探测技术的快速发展需求。由于具有原子层厚、机械柔韧性、强烈的光-物相互作用的优势特性，新型的二维过渡金属硫族化物(TMDs)，包括MoS2等，在新一代的晶体管、光电探测器和太阳能电池等领域中展现出不可估量的应用前景。目前研究者已通过各种途径和方法来提高MoS2光电探测器的性能指标。例如，通过提高材料迁移率和金半接触质量，薄层MoS2光电晶体管的响应度从7.5mA/W提高到了880A/W，然而缺点是较慢的响应速度。随后，由TMDs组成的PN结构的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：/n采用微机械剥离法或化学/物理气相沉积法在SiO

【技术特征摘要】
1.一种基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
采用微机械剥离法或化学/物理气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备全二维过渡金属硫族化合物(TMDs)半导体层；
在所述半导体层的两端沉积金属电极；
在所述半导体层的局部位置沉积介质层；
以AuCl3溶液作为P型掺杂剂旋涂于所述半导体层上未沉积介质层的部位；
退火后获得双极性N-P-N或P-N-P结构的光电晶体管。


2.根据权利要求1的所述制备方法，其特征在于，所述介质层沉积于所述半导体层的中间位置或靠近所述金属电极的两端位置；沉积金属电极的步骤之后，沉积介质层的步骤之前，还包括在惰性气氛中高温退火，其温度为80-150℃，时间为0.5-2小时。


3.根据权利要求1或2的所述制备方法，其特征在于，所述AuCl3溶液的浓度为5-30mM，其配置方法包括：取10～50mg的AuCl3粉末溶解在1～20mL的硝基甲烷中获得混合溶液，将该混合溶液置于50-100℃下超声30-120分钟，过滤后得到分散均匀的AuCl3溶液。


4.根据权利要求3的所述制备方法，其特征在于，所述旋涂的速度为1000～4000rmp，其时间为1～5min；所述旋涂之后的退火温度为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉珏，刘子浩，董华锋，张欣，吴福根，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44