一种高分辨率的半导体核辐射探测器制造技术

一种高分辨率的半导体核辐射探测器，包括高纯的Ｎ型半导体硅片、探测本征区、点状Ｎ型阳极、Ｐ型漂移电极和第一级场效应管，半导体硅片（即基片）为圆形，探测本征区由均匀的位于所述高纯Ｎ型半导体硅片的射线入射面的Ｐ－Ｎ结组成，点状的Ｎ型阳极位于相对面的对应于所述本征区外的区域，并被以该Ｎ型阳极为焦点的Ｐ型漂移电极环绕，Ｐ型漂移电极为若干以所述Ｎ型阳极为焦点的凸圆状环形条，第一级场效应管内置于所述Ｎ型阳极中。该探测器在目前硅漂移探测器ＳＤＤ的基础上，采用了新型的Ｐ型漂移电极平面结构，进行关键性改进，保持ＳＤＤ分辨率高，适用计数率范围大，体积小重量轻的特色，而ＳＤＤ原有的一些缺点则被大有改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及X荧光光谱仪(以下简称XRF)中使用的半导体核辐射探测器，尤 其是一种具有超高分辨率的改进型硅漂移半导体探测器(以下简称UHRD)。
技术介绍
本专利技术主要针对能量色散X射线荧光光谱仪(以下简称EDXRF)中的关键 核心部件_一半导体核辐射探测器。EDXRF是利用经X射线照射样品后，其所含元素被激发，所产生荧光X射 线具有不同能量的特点，通过探测器的能量分辨本领和正比工作特性将其分 开并检测，从而计算出样品中元素组分含量的仪器。EDXRF系统中探测器是关 键部件，它的性能好坏是至关重要的。对探测器的基本要求有以下几点1) 良好的能量分辨率和能量线性。(一般使用55Fe放射源的5.894Kev Mn K a峰的半高宽度表示探测器的能量分辨率指标)2) 探测能量范围宽。3) 死时间短，有优良的高计数率特性。4) 良好的能谱特性，高的峰背比。(一般使用55Fe放射源的5.894Kev Mn K a峰的峰值计数与1. 0Kev处的本底计数之比表示探测器的峰背比指标)5)使用方便、可靠、坚固。而半导体探测器则是高性能EDXRF的首选，其基本原理是，X射线光子 射到探测器后形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分辨率的半导体核辐射探测器，包括高纯的Ｎ型半导体硅片、入射Ｘ射线探测本征区、点状Ｎ型阳极、Ｐ型漂移电极和第一级场效应管，其特征在于：所述半导体硅片为圆形，所述探测本征区由圆形的均匀的位于所述高纯Ｎ型半导体硅片的射线入射面的Ｐ－Ｎ结组成，所述点状的Ｎ型阳极位于入射面背面的对应于所述本征区外的区域，并被以该Ｎ型阳极为焦点的Ｐ型漂移电极环绕，所述Ｐ型漂移电极为若干以所述Ｎ型阳极为焦点的凸圆状环形条状，所述第一级场效应管内置于所述Ｎ型阳极中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚栋樑，李胜辉，
申请(专利权)人：江苏天瑞仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]