自举升压驱动电路制造技术

一种自举升压驱动电路，包括输入端、输出端、第一至第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管。输入端分别连接于NMOS管M1与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3与PMOS管M4的栅极的共接点及NMOS管M5与PMOS管M6的栅极的共接点。M2、M7的源极连接于电压VDD，M1与M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端，M4和M6的源极、M7的漏极以及PNP三极管的发射极均连接于电容Cb的另一端；M3与M4的漏极的共接点连接于M7的栅极；PMOS管M6的栅极与PNP三极管的基极连接；M1和M3的源极、M5的漏极与M6的漏极的共接点以及PNP三极管的集电极均连接于输出端。本实用新型专利技术结构简单，输出电流大。

【技术实现步骤摘要】
自举升压驱动电路
本技术涉及自举升压电路。
技术介绍
自举升压电路是利用电容等电子元件使电容放电电压和电源电压叠加从而使输出电压升高的电路。现有的自举升压电路大多结构较为复杂，而且输出电流较小，不能适用于对升压型DC-DC转换器的功率管的驱动。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种结构简单、输出电流大的自举升压驱动电路。本技术实施例提供了一种自举升压驱动电路，包括输入端In、输出端Out、第一MOS管反相器、第二MOS管反相器、第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管Q1；第一MOS管反相器包括NMOS管M1和PMOS管M2，NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极连接；第二MOS管反相器包括NMOS管M3和PMOS管M4，NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极连接，NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极连接；第三MOS管反相器包括NMOS管M5和PMOS管M6，NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极连接；输入端In分别连接于NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极的共接点以及NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极的共接点；PMOS管M2的源极与PMOS管M7的源极均连接于电压VDD，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端，PMOS管M4的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的漏极以及PNP三极管Q1的发射极均连接于电容Cb的另一端；NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极的共接点连接于PMOS管M7的栅极；PMOS管M6的栅极与PNP三极管Q1的基极连接，NMOS管M5的源极接地；NMOS管M1的源极、NMOS管M3的源极、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。本技术至少具有以下优点：1、本技术实施例的自举升压驱动电路主要由MOS管反相器、NMOS管、PNP三极管和电容组成，元器件数量少，结构简单，成本低；2、PNP三极管Q1作为上拉驱动管，可以增加自举升压驱动电路的输出电流，适用于对升压型DC-DC转换器的功率管的驱动。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了根据本技术一实施例的一种自举升压驱动电路的电路原理图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。图1示出了根据本技术一实施例的一种自举升压驱动电路的电路原理图。请参阅图1。根据本技术一实施例的一种自举升压驱动电路包括输入端In、输出端Out、第一MOS管反相器、第二MOS管反相器、第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管Q1。第一MOS管反相器包括NMOS管M1和PMOS管M2，NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极连接；第二MOS管反相器包括NMOS管M3和PMOS管M4，NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极连接，NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极连接；第三MOS管反相器包括NMOS管M5和PMOS管M6，NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极连接。输入端In分别连接于NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极的共接点以及NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极的共接点。PMOS管M2的源极与PMOS管M7的源极均连接于电压VDD，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端，PMOS管M4的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的漏极以及PNP三极管Q1的发射极均连接于电容Cb的另一端。NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极的共接点连接于PMOS管M7的栅极。PMOS管M6的栅极与PNP三极管Q1的基极连接，NMOS管M5的源极接地。NMOS管M1的源极、NMOS管M3的源极、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。在本实施例中，自举升压驱动电路还包括电容Cf，电容Cf的一端连接于NMOS管M1的源极与NMOS管M3的源极的共接点，电容Cf的另一端、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。电容Cf作为负载电容使用，大小可达到几十皮法。根据本技术一实施例的一种自举升压驱动电路的工作原理大致如下。输入信号Vcon_L经过第一MOS管反相器将信号电压加在电容Cb的一端，与此同时，输入信号还将通过第二MOS管反相器来驱动PMOS管M7的栅极，通过第三MOS管反向器将信号传递到B点，准备输出。电容Cb的另一端连接于第二MOS管反相器的电源端、第三MOS管反相器的电源端、PMOS管M7的漏极以及PNP三极管Q1的发射极。当输入信号Vcon_L为高电平时，NMOS管M1导通，PMOS管M2截止，C点电位为低电平。同时NMOS管M3导通，PMOS管M7的栅极电位为低电平，则PMOS管M7导通。这就使得此时A点的电位约为VDD，电容Cb两端的电压Vc≈VDD。由于NMOS管M5导通，PMOS管M6截止，所以B点的电位为低电平。当输入信号Vcon_L变为低电平时，NMOS管M1截止，PMOS管M2导通，C点电位为高电平，约为VDD。同时NMOS管M3、NMOS管M5截止，PMOS管M4、PMOS管M6导通。这使得PMOS管M7的栅极电位升高，PMOS管M7截止。此时A点电位等于C点电位加上电容Cb两端电压，约为2VDD。而且PMOS管M6导通，因此B点输出高电平，且高于VDD。PNP三极管Q1作为上拉驱动管，可以增加输出电流。在输入端信号从高电平变为低电平时，PNP三极管Q1导通，由PNP三极管Q1提供电流，使输出端Out的电位迅速上升，直到输出端Out的电压达到2VDD。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自举升压驱动电路，其特征在于，包括输入端In、输出端Out、第一MOS管反相器、第二MOS管反相器、第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管Q1；/n所述第一MOS管反相器包括NMOS管M1和PMOS管M2，NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极连接；所述第二MOS管反相器包括NMOS管M3和PMOS管M4，NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极连接，NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极连接；所述第三MOS管反相器包括NMOS管M5和PMOS管M6，NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极连接；/n输入端In分别连接于NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极的共接点以及NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极的共接点；/nPMOS管M2的源极与PMOS管M7的源极均连接于电压VDD，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端，PMOS管M4的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的漏极以及PNP三极管Q1的发射极均连接于电容Cb的另一端； NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极的共接点连接于PMOS管M7的栅极；PMOS管M6的栅极与PNP三极管Q1的基极连接，NMOS管M5的源极接地；/nNMOS管M1的源极、NMOS管M3的源极、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。/n...

【技术特征摘要】
1.一种自举升压驱动电路，其特征在于，包括输入端In、输出端Out、第一MOS管反相器、第二MOS管反相器、第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管Q1；
所述第一MOS管反相器包括NMOS管M1和PMOS管M2，NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极连接；所述第二MOS管反相器包括NMOS管M3和PMOS管M4，NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极连接，NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极连接；所述第三MOS管反相器包括NMOS管M5和PMOS管M6，NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极连接；
输入端In分别连接于NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极的共接点以及NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极的共接点；
PMOS管M2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李唯为，
申请(专利权)人：浙江科博达工业有限公司，科博达技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33