一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路技术方案

本实用新型专利技术属于快速响应的系统电源设计领域，提出了一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，包括增强电路、延迟控制电路，所述增强电路包括依次连接的基础增强电路、第一补偿环电路、第二补偿环电路、增强输出电路；所述延迟控制电路与第一补偿环电路连接。通本实用新型专利技术解决了现有技术响应时间不满足更快的需求、系统控制信号会有提前等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路
本技术属于快速响应的系统电源设计领域，具体地说，涉及一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路。
技术介绍
随着科技的发展，5G成为近几年发展的一个热门趋势，一个技术的发展与创新将会带动其相关技术的创新，如现在5G的告诉发展，随之带来的就是对其他相关领域技术更高的要求，在5G的建设中，很多相关的项目，需要一个快速响应的稳压电源电路提供电源，同时所占芯片面积要小，要求输出给负载的电流从零毫安在几百纳秒的时间上升到几十毫安，并且输出电压也要稳定，现已经提出许多的快速响应的稳压电路，有许多的实现方式，最常见的方式是在传统的低压差线性稳压器本身电路进行修改，增加相关支路的电流或是调节幅频特性曲线都会或多或少增加响应速度，诸多带有快速响应补偿模块的电路也被提出，由于近期兴起的5G通讯技术，传统的快速响应源已不再适用，一般结构的电路很难达到这样的要求，急需一个新架构的电路来实现该功能；而对此类问题所要求关键的参数是稳定时间，一般的快速响应稳压电路的稳定时间在1us左右，目前较好的快速响应的稳压电路稳定时间大概在500ns左右，这种电路亦达不到一些高标准项目的要求，并且这些电路的负载响应情况是输出电流是从某一个电流值开始上升的，一些项目要求的是从零电流开始上升，5G通讯不同于传统的4G、3G等，硬件与软件都有很高的标准要求，现有技术实现的快速响应达不到相关模块源的技术标准，并且技术中相关模块要求的电流变化与一般要求不同，要求负载电流从零毫安开始，而大多快速响应电路是从一个有限值比如十微安开始的，对于这种情况看似相差不大，其实有很大区别，如果从零电流开始最直接的体现就是响应速度会变得更慢，若考虑此种情况一般电路的响应还要更差，所以一般的快速响应电路已不适用。
技术实现思路
本技术基于现有技术响应时间不满足更快的需求、系统控制信号会有提前等问题，提出了一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，通过在现有的基础增强电路上增加第一补偿环电路和第二补偿环电路，实现了150ns左右的快速响应；同时设置延时控制电路，并使用调节控制模块实现对系统控制信号的延迟控制。本技术具体实现内容如下：本技术提供了一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，包括增强电路、延迟控制电路，所述增强电路包括依次连接的基础增强电路、第一补偿环电路、第二补偿环电路、增强输出电路；所述延迟控制电路与第一补偿环电路连接；所述延迟控制电路包括调节控制模块A10；所述调节控制模块A10为包括至少一个电阻单元的电阻调节控制模块，当电阻单元数量为多个时，多个电阻单元串联在一起；或者所述调节控制模块A10为包括至少一个电容单元的电容调节控制模块，当电容单元数量为多个时，多个电容单元并联在一起。为了更好地实现本技术，进一步地，所述延迟控制电路还包括CMOS管M32、CMOS管M33、CMOS管M34、CMOS管M35、CMOS管M36、CMOS管M37、电容C10、调节控制模块A10；所述CMOS管M32的漏极连接电源，CMOS管M32的源极与CMOS管M33的漏极连接后与调节控制模块A10的正端连接，所述CMOS管M32的栅极、CMOS管M33的栅极连接外部控制系统信号；所述CMOS管M33的源极接地；所述调节控制模块A10的负端分别与CMOS管M34的栅极、接地的电容C10、CMOS管M35的栅极连接，所述CMOS管M34的漏极连接电源、CMOS管M34的源极与CMOS管M35的漏极连接后与分别连接CMOS管M36的栅极、CMOS管M37的栅极、CMOS管M17的栅极、CMOS管M16的栅极连接，所述CMOS管M35的源极接地；所述CMOS管M36的源极与CMOS管M37的漏极连接在一起后分别与CMOS管M15的栅极、CMOS管M18的栅极连接；所述CMOS管M36的漏极连接电源；所述CMOS管M37的源极接地。为了更好地实现本技术，进一步地，当所述调节控制模块A10为包括至少一个电阻单元的电阻调节控制模块时，所述调节控制模块A10还包括译码器、与译码器和电阻单元连接的CMOS管组，所述CMOS管组包括至少一个CMOS管；每个所述电阻单元包括至少一个电阻；一个电阻单元包括的电阻为一个时，与电阻单元中的电阻对应设置的CMOS管组包括单个CMOS管，所述单个CMOS管的栅极连接译码器、源极连接对应的电阻的正端、漏极连接对应的电阻的负端；当一个电阻单元中包括的电阻为多个时，多个电阻并联在一起，所述CMOS管组中包括比对应的电阻单元中的电阻少一个数量的CMOS管，CMOS管组中的所有MOS栅极管均匀分布在相邻的两个电阻之间，且CMOS管的栅极与译码器连接，CMOS管的源极和栅极分别连接在相邻的两个并联电阻的负端上。为了更好地实现本技术，进一步地，当所述调节控制模块A10为包括至少一个电容单元的电容调节控制模块时，所述调节控制模块A10还包括译码器、与译码器和电容单元连接的CMOS管组，所述CMOS管组包括至少一个CMOS管；所述调节控制模块A10还包括电阻R10；所述电阻R10的正端与CMOS管M32的源极、CMOS管M33的源极连接，电阻R10的负端与电容单元连接；每个所述电容单元包括至少一个电容；当一个电容单元包括的电容为一个时，与电容单元中的电容对应设置的CMOS管组包括单个CMOS管，所述单个CMOS管的栅极连接译码器、漏极与CMOS管M34的栅极还有CMOS管M35的栅极连接、源极连接单个并接地的电容；当一个电容单元中包括的电容为多个时，所述CMOS管组中包括与对应的电容单元中的电容同等数量的CMOS管，CMOS管组中的所有MOS栅极管与电容单元中的电容一一对应，且每个CMOS管的栅极与译码器连接，CMOS管的源极和栅极分别连接在对应的电容的正端和负端上。为了更好地实现本技术，进一步地，所述基础增强电路包括电阻R1、电阻R2、CMOS管M1、CMOS管M2、CMOS管M3、CMOS管M4、CMOS管M5、CMOS管M6、CMOS管M7、CMOS管M8、CMOS管M9、CMOS管M10、CMOS管M11、CMOS管M12、CMOS管M13、CMOS管M14、电容C1；所述电阻R1的正端连接基准电流IBIAS，所述CMOS管M1的栅极与电阻R1的正端相连，所述CMOS管M2的栅极与CMOS管M1的漏极相连，所述CMOS管M1的漏极与电阻R1的负端相连，所述CMOS管M2的漏极与CMOS管M1的源极相连，所述CMOS管M2的源极接地；所述CMOS管M3的栅极与CMOS管M1的栅极相连，所述CMOS管M4的栅极与CMOS管M2的栅极相连，所述CMOS管M7的栅极与CMOS管M7的漏极相连，所述CMOS管M7的源极连接电源，所述CMOS管M3的漏极与CMOS管M7的漏极相连，所述CMOS管M4的漏极与CMOS管M3的源极相连，CMOS管M4的源极接地；所述CMOS管M8的栅极与CMOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，其特征在于，包括增强电路、延迟控制电路，所述增强电路包括依次连接的基础增强电路、第一补偿环电路、第二补偿环电路、增强输出电路；所述延迟控制电路与第一补偿环电路连接；所述延迟控制电路包括调节控制模块A10；/n所述调节控制模块A10为包括至少一个电阻单元的电阻调节控制模块，当电阻单元数量为多个时，多个电阻单元串联在一起；/n或者所述调节控制模块A10为包括至少一个电容单元的电容调节控制模块，当电容单元数量为多个时，多个电容单元并联在一起。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，其特征在于，包括增强电路、延迟控制电路，所述增强电路包括依次连接的基础增强电路、第一补偿环电路、第二补偿环电路、增强输出电路；所述延迟控制电路与第一补偿环电路连接；所述延迟控制电路包括调节控制模块A10；
所述调节控制模块A10为包括至少一个电阻单元的电阻调节控制模块，当电阻单元数量为多个时，多个电阻单元串联在一起；
或者所述调节控制模块A10为包括至少一个电容单元的电容调节控制模块，当电容单元数量为多个时，多个电容单元并联在一起。


2.如权利要求1所述的一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，其特征在于，所述延迟控制电路还包括CMOS管M32、CMOS管M33、CMOS管M34、CMOS管M35、CMOS管M36、CMOS管M37、电容C10、调节控制模块A10；
所述CMOS管M32的漏极连接电源，CMOS管M32的源极与CMOS管M33的漏极连接后与调节控制模块A10的正端连接，所述CMOS管M32的栅极、CMOS管M33的栅极连接外部控制系统信号；所述CMOS管M33的源极接地；所述调节控制模块A10的负端分别与CMOS管M34的栅极、接地的电容C10、CMOS管M35的栅极连接，所述CMOS管M34的漏极连接电源、CMOS管M34的源极与CMOS管M35的漏极连接后与分别连接CMOS管M36的栅极、CMOS管M37的栅极、CMOS管M17的栅极、CMOS管M16的栅极连接，所述CMOS管M35的源极接地；所述CMOS管M36的源极与CMOS管M37的漏极连接在一起后分别与CMOS管M15的栅极、CMOS管M18的栅极连接；所述CMOS管M36的漏极连接电源；所述CMOS管M37的源极接地。


3.如权利要求2所述的一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，其特征在于，当所述调节控制模块A10为包括至少一个电阻单元的电阻调节控制模块时，所述调节控制模块A10还包括译码器、与译码器和电阻单元连接的CMOS管组，所述CMOS管组包括至少一个CMOS管；每个所述电阻单元包括至少一个电阻；
一个电阻单元包括的电阻为一个时，与电阻单元中的电阻对应设置的CMOS管组包括单个CMOS管，所述单个CMOS管的栅极连接译码器、源极连接对应的电阻的正端、漏极连接对应的电阻的负端；
当一个电阻单元中包括的电阻为多个时，多个电阻并联在一起，所述CMOS管组中包括比对应的电阻单元中的电阻少一个数量的CMOS管，CMOS管组中的所有MOS栅极管均匀分布在相邻的两个电阻之间，且CMOS管的栅极与译码器连接，CMOS管的源极和栅极分别连接在相邻的两个并联电阻的负端上。


4.如权利要求2所述的一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，其特征在于，当所述调节控制模块A10为包括至少一个电容单元的电容调节控制模块时，所述调节控制模块A10还包括译码器、与译码器和电容单元连接的CMOS管组，所述CMOS管组包括至少一个CMOS管；所述调节控制模块A10还包括电阻R10；所述电阻R10的正端与CMOS管M32的源极、CMOS管M33的源极连接，电阻R10的负端与电容单元连接；每个所述电容单元包括至少一个电容；
当一个电容单元包括的电容为一个时，与电容单元中的电容对应设置的CMOS管组包括单个CMOS管，所述单个CMOS管的栅极连接译码器、漏极与CMOS管M34的栅极还有CMOS管M35的栅极连接、源极连接单个并接地的电容；
当一个电容单元中包括的电容为多个时，所述CMOS管组中包括与对应的电容单元中的电容同等数量的CMOS管，CMOS管组中的所有MOS栅极管与电容单元中的电容一一对应，且每个CMOS管的栅极与译码器连接，CMOS管的源极和栅极分别连接在对应的电容的正端和负端上。


5.如权利要求2-4任一项所述的一种基于5G通信系统的电源快速响应稳压电源电路，其特征在于，所述基础增强电路包括电阻R1、电阻R2、CMOS管M1、CMOS管M2、CMOS管M3、CMOS管M4、CMOS管M5、CMOS管M6、CMOS管M7、CMOS管M8、CMOS管M9、CMOS管M10、CMOS管M11、CMOS管M12、CMOS管M13、CMOS管M14、电容C1；
所述电阻R1的正端连接基准电流IBIAS，所述CMOS管M1的栅极与电阻R1的正端相连，所述CMOS管M2的栅极与CMOS管M1的漏极相连，所述CMOS管M1的漏极与电阻R1的负端相连，所述CMOS管M2的漏极与CMOS管M1的源极相连，所述CMOS管M2的源极接地；所述CMOS管M3的栅极与CMOS管M1的栅极相连，所述CMOS管M4的栅极与CMOS管M2的栅极相连，所述CMOS管M7的栅极与CMOS管M7的漏极相连，所述CMOS管M7的源极连接电源，所述CMOS管M3的漏极与CMOS管M7的漏极相连，所述CMOS管M4的漏极与CMOS管M3的源极相连，CMOS管M4的源极接地；所述CMOS管M8的栅极与CMOS管M7的栅极相连，所述CMOS管M8的源极接电源，所述CMOS管M8的漏极与CMOS管M9的源极相连；所述CMOS管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军，龚加伟，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51