一种芯片正负电源发生器制造技术

技术编号:26566988 阅读:79 留言:0更新日期:2020-12-01 20:03
本实用新型专利技术公开了一种芯片正负电源发生器,包括PWM波形电路、电阻R1‑R2、电容C1‑C2、三极管Q1‑Q3以及二极管D1‑D2,其中所述PWM波形电路为占空比0%‑100%可调的电路,三极管Q3基极经电阻R2接地,三极管Q3集电极分别连接三极管Q1的基极以及三极管Q2的基极同时经电阻R1接电源VCC,三极管Q3发射极接地,三极管Q1集电极连接电源VCC,三极管Q1发射极连接三极管Q2发射极,三极管Q2集电极接地,三极管Q2发射极经电容C1分别连接二极管D2正极以及二极管D1负极,二极管D2负极接地,二极管D1正极连接电源‑VCC,电容C2两端分别连接电源‑VCC和地。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片正负电源发生器
本技术属于电子
,具体涉及一种芯片正负电源发生器。
技术介绍
在电路设计中,经常会用到一些需要正负电源的芯片,为了满足芯片的供电要求,通常需要设计正负电源。目前常规的做法:一是采用集成芯片利用开关电源原理的升压法或降压法通过外置MOS管或电感实现正负电压输出,但整体成本较高,例如linear正负电压转换芯片LT8471。二是采用市售电压转换模块,也可实现正负电压输出,但模块普遍体积相对较大,而且转换效率较低。
技术实现思路
本技术需要解决的技术问题是提供一种体积小、成本低的芯片正负电源发生器。为解决上述问题,本技术所采取的技术方案是:一种芯片正负电源发生器,包括PWM波形电路、电阻R1-R2、电容C1-C2、三极管Q1-Q3以及二极管D1-D2,其中所述PWM波形电路为占空比0%-100%可调的电路,三极管Q3基极经电阻R2接地,三极管Q3集电极分别连接三极管Q1的基极以及三极管Q2的基极同时经电阻R1接电源VCC,三极管Q3发射极接地,三极管Q1集电极连接电源VCC,三极管Q1发射极连接三极管Q2发射极,三极管Q2集电极接地,三极管Q2发射极经电容C1分别连接二极管D2正极以及二极管D1负极,二极管D2负极接地,二极管D1正极连接电源-VCC,电容C2两端分别连接电源-VCC和地。所述PWM波形电路包括电阻R3-R7、运放U1、电容C3、以及二极管D3-D4,其中电阻R3、R4串联后接于电源VCC和地之间,电阻R3、R4的串联节点连接运放U1的同相输入端,电阻R7跨接在运放U1的同相输入端和输出端之间,运放U1的反相输入端经电容C3接地,运放U1的反相输入端经电阻R5连接二极管D3的正极,二极管D3负极接运放U1的输出端,运放U1的反相输入端经电阻R6连接二极管D4的负极,二极管D4正极接运放U1的输出端,运放U1的输出端连接三极管Q3基极。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本技术利用PWM波形电路产生PWM波形,驱动由三极管和电容C1为主组成的充放电电路,利用电容C1放电对电容C2充电,使电容C2上电压对地为负压,形成正负电源,该新型整体电路简单、成本低;减少了常规电路的外置MOS管或电感,整体体积较小。附图说明图1是本技术电气原理图,图2是本技术PWM波形发生电路具体化的电路原理图。具体实施方式下面结合附图对技术做进一步详细描述:如图1所示,本技术包括PWM波形电路、电阻R1-R2、电容C1-C2、三极管Q1-Q3以及二极管D1-D2,其中所述PWM波形电路为占空比0%-100%可调的波形电路,PWM波形电路输出的波形是占空比可调的方波、三角波、锯齿波、正弦波中的一种,三极管Q3基极经电阻R2接地,三极管Q3集电极分别连接三极管Q1的基极以及三极管Q2的基极同时经电阻R1接电源VCC,三极管Q3发射极接地,三极管Q1集电极连接电源VCC,三极管Q1发射极连接三极管Q2发射极,三极管Q2集电极接地,三极管Q2发射极经电容C1分别连接二极管D2正极以及二极管D1负极,二极管D2负极接地,二极管D1正极连接电源-VCC,电容C2两端分别连接电源-VCC和地。本技术的PWM波形电路输出占空比0%-100%可调的方波,如图2所示,PWM波形电路包括电阻R3-R7、运放U1、电容C3、以及二极管D3-D4,其中电阻R3、R4串联后接于电源VCC和地之间,电阻R3、R4的串联节点连接运放U1的同相输入端,电阻R7跨接在运放U1的同相输入端和输出端之间,运放U1的反相输入端经电容C3接地,运放U1的反相输入端经电阻R5连接二极管D3的正极,二极管D3负极接运放U1的输出端,运放U1的反相输入端经电阻R6连接二极管D4的负极,二极管D4正极接运放U1的输出端,运放U1的输出端连接三极管Q3基极。工作原理:上电后,运放U1的同相端大于反相端时,U1输出高电平,U1输出端通过二极管D4、电阻R6对电容C3充电,电容C3两端电压逐渐升高,运放U1的反相端经电容C3接地,当运放U1的反相端(电容C3电压)等于同相端时,运放U1输出低电平,此时电容C3通过电阻R5、二极管D3放电,电容C3两端电压逐渐降低,当电容C3两端电压降低到等于同相端时,电容C3又开始充电,如此循环往复,电容C3一直处于充电与放电状态,U1输出占空比可调的PWM波。当U1输出低电平时,三极管Q3不导通,三极管Q1基极为高电平,三极管Q1导通,VCC通过三极管Q1对电容C1充电,当U1输出高电平时,三极管Q3导通,三极管Q2基极为低电平,三极管Q2导通,电容C1通过三极管Q2对电容C2进行充电,则电容C2两端产生压差,由于电容C2的接地端为正,接-VCC端为负,已地为参考电压,则接-VCC端电压对地为-VCC,从而形成正负芯片电源。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片正负电源发生器,其特征在于:包括PWM波形电路、电阻R1-R2、电容C1-C2、三极管Q1-Q3以及二极管D1-D2,其中所述PWM波形电路为占空比0%-100%可调的电路,三极管Q3基极经电阻R2接地,三极管Q3集电极分别连接三极管Q1的基极以及三极管Q2的基极同时经电阻R1接电源VCC,三极管Q3发射极接地,三极管Q1集电极连接电源VCC,三极管Q1发射极连接三极管Q2发射极,三极管Q2集电极接地,三极管Q2发射极经电容C1分别连接二极管D2正极以及二极管D1负极,二极管D2负极接地,二极管D1正极连接电源-VCC,电容C2两端分别连接电源-VCC和地。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片正负电源发生器,其特征在于:包括PWM波形电路、电阻R1-R2、电容C1-C2、三极管Q1-Q3以及二极管D1-D2,其中所述PWM波形电路为占空比0%-100%可调的电路,三极管Q3基极经电阻R2接地,三极管Q3集电极分别连接三极管Q1的基极以及三极管Q2的基极同时经电阻R1接电源VCC,三极管Q3发射极接地,三极管Q1集电极连接电源VCC,三极管Q1发射极连接三极管Q2发射极,三极管Q2集电极接地,三极管Q2发射极经电容C1分别连接二极管D2正极以及二极管D1负极,二极管D2负极接地,二极管D1正极连接电源-VCC,电容C2两端分别连接电源-...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔英杰邓兴培刘松
申请(专利权)人:石家庄泽润科技有限公司
类型:新型
国别省市:河北;13

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