一种X射线芯片封装管壳制造技术

技术编号:26565524 阅读:34 留言:0更新日期:2020-12-01 20:00
本实用新型专利技术公开了一种X射线芯片封装管壳,包括管座和管帽,所述管座包括基板和管脚,所述管帽包括靶材薄膜和电极,所述管帽呈四层结构,所述四层结构包括发生层、聚集层和发生层,本管壳通过对能够发射X射线的芯片进行保护,同时管帽的结构能够对发射出来的X射线进行聚集发射。

【技术实现步骤摘要】
一种X射线芯片封装管壳
本技术涉及一种管壳,具体是一种X射线芯片封装管壳。
技术介绍
X射线芯片,硅基器件,表面有金属电极结构,芯片尺寸为5~10mm左右,共面电极结构,需要将芯片真空封装在一个腔室中。但是此类X射线芯片是刚研发出来的,可以说是最小的X射线发生器。市场上还没有针对这么小的X射线发生器的封装结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种X射线芯片封装管壳,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种X射线芯片封装管壳,包括管座和管帽,所述管座位于所述管帽下方,所述管座包括基板和管脚,所述管座中间位置设置有基板,所述基板上设置有芯片,所述基板穿过设置有管脚,所述管帽包括靶材薄膜和电极,所述靶材薄膜设置在所述基板上方,所述电极设置在所述管帽侧边,所述管座和管帽固定连接且所述管座和管帽中间呈高真空腔。作为本技术进一步的方案:所述管帽呈三层结构,所述三层结构包括发生层、聚集层和发生层,所述发生层设置在所述管座上方,所述发生层端部设置有聚集层,所述聚集层端部设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线芯片封装管壳,包括管座(1)和管帽(3),其特征在于,所述管座(1)位于所述管帽(3)下方,所述管座(1)包括基板(7)和管脚(8),所述管座(1)中间位置设置有基板(7),所述基板(7)上设置有芯片(2),所述基板(7)穿过设置有管脚(8),所述管帽(3)包括靶材薄膜(4)和电极(9),所述靶材薄膜(4)设置在所述基板(7)上方,所述电极(9)设置在所述管帽(3)侧边,所述管座(1)和管帽(3)固定连接且所述管座(1)和管帽(3)中间呈高真空腔(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种X射线芯片封装管壳,包括管座(1)和管帽(3),其特征在于,所述管座(1)位于所述管帽(3)下方,所述管座(1)包括基板(7)和管脚(8),所述管座(1)中间位置设置有基板(7),所述基板(7)上设置有芯片(2),所述基板(7)穿过设置有管脚(8),所述管帽(3)包括靶材薄膜(4)和电极(9),所述靶材薄膜(4)设置在所述基板(7)上方,所述电极(9)设置在所述管帽(3)侧边,所述管座(1)和管帽(3)固定连接且所述管座(1)和管帽(3)中间呈高真空腔(5)。


2.根据权利要求1所述的X射线芯片封装管壳,其特征在于,所述管帽(3)呈三层结构,所述三层结构包括发生层(10)、聚集层(6)和发射层(11),所述发生层(10)设置在所述管座(1)上方,所述发生层(10)端部设置有聚集层(6),所述聚集层(6)端部设置有发射层(11),所述发射层(11)端部设置有靶材薄膜(4)。


3.根据权利要求1所述的X射线芯片封装管壳,其特征在于,所述管帽(3)呈两层结构,所述两层结构包括发生层(10)和聚集层(6),所述发生层(10)设置在所述管座(1)上方,所述发生层(...

【专利技术属性】
技术研发人员:闫方亮杨丽霞朱震闫建康陈青山于渤
申请(专利权)人:北京聚睿众邦科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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