【技术实现步骤摘要】
存储器装置、存储控制器以及包括它们的存储装置
本公开涉及电子装置,更具体地,涉及一种存储器装置、存储控制器以及包括该存储器装置和存储控制器的存储装置。
技术介绍
存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是只有当供电时才存储数据并且当电源被切断时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。非易失性存储器装置是即使当电源被切断时也不丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。
技术实现思路
根据本公开的实施方式的存储控制器可控制存储器装置。存储器装置可包括:第一存储块,其通过第一路径开关连接到第一全局字线;第二存储块,其通过第二路径开关连接到第二全局字线;以及块解码器,其通过块字线连接到第一路径开关的栅极和第二路径开关的栅极。存储控制器可包括:块状态存储装置,其被配置为存储第一存储块和第二存储块的块状态信息;以及命令控制器,其被配置为确定对第一存储块执行目标操作并基于第二存储块的块状态信息来确定传送至块字线的启用电压电平。根据本公开的另一实施方式的存储装置可包括存储器装置和存储控制器。存储器装置可包括块解码器、所选存储块和共享存储块。存储 ...
【技术保护点】
1.一种控制存储器装置的存储控制器,该存储器装置包括:/n第一存储块,该第一存储块通过第一路径开关连接到第一全局字线;/n第二存储块,该第二存储块通过第二路径开关连接到第二全局字线;以及/n块解码器,该块解码器通过块字线连接到所述第一路径开关的栅极和所述第二路径开关的栅极,/n所述存储控制器包括:/n块状态存储装置,该块状态存储装置被配置为存储所述第一存储块和所述第二存储块的块状态信息;以及/n命令控制器,该命令控制器被配置为确定对所述第一存储块执行目标操作并基于所述第二存储块的所述块状态信息来确定传送至所述块字线的启用电压电平。/n
【技术特征摘要】
20190529 KR 10-2019-00634471.一种控制存储器装置的存储控制器,该存储器装置包括:
第一存储块,该第一存储块通过第一路径开关连接到第一全局字线;
第二存储块,该第二存储块通过第二路径开关连接到第二全局字线;以及
块解码器,该块解码器通过块字线连接到所述第一路径开关的栅极和所述第二路径开关的栅极,
所述存储控制器包括:
块状态存储装置,该块状态存储装置被配置为存储所述第一存储块和所述第二存储块的块状态信息;以及
命令控制器,该命令控制器被配置为确定对所述第一存储块执行目标操作并基于所述第二存储块的所述块状态信息来确定传送至所述块字线的启用电压电平。
2.根据权利要求1所述的存储控制器,其中,所述目标操作是擦除操作。
3.根据权利要求1所述的存储控制器,其中,所述目标操作是编程操作。
4.根据权利要求1所述的存储控制器,其中,当所述第二存储块处于擦除状态时,所述命令控制器将第一值确定为所述启用电压电平,并且当所述第二存储块处于编程状态时,所述命令控制器将不同于所述第一值的第二值确定为所述启用电压电平。
5.根据权利要求4所述的存储控制器,其中,所述第一值和所述第二值是用于使所述第一路径开关和所述第二路径开关接通的电压。
6.根据权利要求5所述的存储控制器,其中,所述第一值小于所述第二值。
7.根据权利要求6所述的存储控制器,其中,与当所述第二存储块处于所述编程状态时所述第二值作为所述启用电压电平施加时所述第二路径开关接通时相比,当所述第二存储块处于所述擦除状态时所述第一值作为所述启用电压电平施加时,所述第二路径开关相对弱地接通。
8.根据权利要求1所述的存储控制器,该存储控制器还包括:
命令发生器,该命令发生器被配置为基于所确定的启用电压电平来生成设定参数命令。
9.根据权利要求8所述的存储控制器,其中,在生成所述设定参数命令之后,所述命令发生器还生成用于控制所述存储器装置执行所述目标操作的命令。
10.一种存储装置,该存储装置包括:
存储器装置,该存储器装置包括块解码器、所选存储块和共享存储块;以及
存储控制器,该存储控制器被配置为控制所述存储器装置的操作,
其中,所述所选存储块通过第一路径开关连接到第一全局字线,所述共享存储块通过第二路径开关连接到第二全局字线,所述块解码器通过块字...
【专利技术属性】
技术研发人员:许民虎,金东眩,金承日,郑然镐,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。