基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元制造技术

本发明专利技术公开了一种基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的新型DICE抗辐照单元，所述新型DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，采用存储数值相同的两端同时进行写操作，单端读的方式同时使用传输门做传输管，所述电路的两侧通过闸门控制电路的接通与断开。通过上述方式，本发明专利技术能够抗单粒子翻转，同时还能提高存储单元的读静态噪声容限(RSNM，Read Static Noise Margin)和写余量(WM，Write Margin)。

【技术实现步骤摘要】
基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元
本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元。
技术介绍
高能粒子轰击半导体器件，在入射过程中与器件材料发生相互作用，通过直接电离、间接电离等方式生成大量的电子空穴对。随着电荷的收集，当这些电荷量大于电路发生翻转需要“临界电荷”的量时，电路会产生单粒子翻转效应。单粒子翻转效应是由于锁存器或者存储单元的状态发生改变而引起的“软”错误，主要是瞬态电流过大引起逻辑电平翻转，并且错误的逻辑状态被锁存起来。现有通用性的静态存储单元(StaticRandomAccessMemoryCell)为图1中6T结构,以下简称:6TSRAMCell。设Q节点存储“1”，QB节点存储“0”，此时晶体管P1、N0都为截止状态，这两个晶体管的漏极均为发生单粒子效应的敏感节点。高能粒子轰击灵敏区域中的任意位置，都有可能导致单粒子翻转。无论是保持或读、写状态的SRAM存储单元，敏感区域中的内建电场一直存在，所以晶体管在电子空穴对生成时就在进行电荷的收集过程。以粒子轰击本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元，其特征在于包括基于FinFET工艺构成的新型DICE抗辐照单元，所述新型DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，采用存储数值相同的两端同时进行写操作，单端读的方式同时使用传输门做传输管，所述电路的两侧通过闸门控制电路的接通与断开。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元，其特征在于包括基于FinFET工艺构成的新型DICE抗辐照单元，所述新型DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，采用存储数值相同的两端同时进行写操作，单端读的方式同时使用传输门做传输管，所述电路的两侧通过闸门控制电路的接通与断开。


2.根据权利要求1所述的基于FinFET工艺新型DICEPG抗辐照单元，其特征在于：所述新型DICE抗辐照单元包括括第一PMOS管P0至第六PMOS管P5、以及第一NMOS管N0至第八NMOS管N7；其中第五NMOS管N4、第六NMOS管N5的栅极连接第一写字线WL；P4、P5的栅极连接第二写字线WLB，第五PMOS管P4和第六PMOS管P5的源极以及第五NMOS管N4和第六NMOS管N5的源极连接写位线WBL，第五PMOS管P4的漏极和第五NMOS管N4的漏极共...

【专利技术属性】
技术研发人员：张一平，张曼，
申请(专利权)人：苏州仙林力齐电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32