电子器件以及电子器件的操作方法技术

本申请公开了电子器件以及电子器件的操作方法。一种半导体存储器包括位线、字线、耦接在位线与字线之间的存储单元、以及被配置为感测选中的存储单元的状态的感测电路。在选中的存储单元的读取操作期间，该电子器件被配置为：将选中的字线预充电至第一电压，将未选中的字线预充电至第二电压，使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置，将位线电压施加到选中的位线，利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平，将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路，并将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。

【技术实现步骤摘要】
电子器件以及电子器件的操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2019年5月3日提交的申请号为10-2019-0052490的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体上涉及一种存储电路或存储器件，以及其在电子器件中的应用。
技术介绍
近来，电子器件的小型化、低功耗、高性能和多样化需要被配置为将信息储存在诸如计算机和便携式通信设备之类的各种电子器件中的半导体器件，并且正在对其进行研究。被配置为利用根据被施加的电压或电流而在不同的电阻相之间的切换特性来储存数据的半导体器件的示例可以包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和E熔丝。
技术实现思路
本公开的各种实施例提供了一种稳定地读取电阻式存储器的数据的电子器件。根据实施例，一种操作包括多个位线和多个字线的电子器件的方法可以包括：将来自多个字线中的选中的字线预充电至第一电压；将来自多个字线中的未选中的字线预充电至第二电压；使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置；向来自多个位线中的选中的位线施加位线电压；利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平；将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路；以及将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。根据实施例，一种电子器件可以包括：半导体存储器，其包括多个位线、与多个位线交叉的多个字线、以及相应地耦接在多个位线与多个字线之间的多个存储单元；以及感测电路，其被配置为感测来自所述多个存储单元中的选中的存储单元的状态，其中，在所述选中的存储单元的读取操作期间，所述电子器件被配置为：将来自所述多个字线中的选中的字线预充电至第一电压，将来自所述多个字线中的未选中的字线预充电至第二电压，使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置，向来自所述多个位线中的选中的位线施加位线电压，利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平，将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到所述感测电路，并将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。附图说明图1是示出根据本公开的实施例的电子器件的结构的图；图2是示出根据本公开的实施例的存储单元的I-V曲线的图；图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；图4A和图4B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；图5A和图5B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；图6A和图6B是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；图7是示出根据本公开的实施例的操作电子器件的方法的图；图8是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的微处理器的配置的图；图9是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的处理器的配置的图；图10是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的系统的配置的图；图11是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的数据储存系统的配置的图；以及图12是示出实施了根据本公开的实施例的存储器件的存储系统的配置的图。具体实施方式在下文中，将参考附图来详细地描述各种实施例。在以下描述中，为了简单和简洁，可以省略对相关功能和构造的详细说明。另外，它们可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将把示例实施例的范围完全传达给本领域技术人员。还应注意，在本说明书中，“连接/耦接”不仅是指一个组件直接与另一组件耦接，而且还指其通过中间组件与另一组件间接耦接。在说明书中，当一个元件被称为“包括”或“包含”一个组件时，它并不排除其他组件，而是还可以包括其他元件，除非在上下文中特别指出相反的描述。图1是示出根据本公开的实施例的电子器件的结构的图。更具体地，图1示出了电子器件的存储单元阵列100。参考图1，根据本公开的实施例的电子器件可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括行线和与行线交叉的列线。例如，行线可以是字线，并且列线可以是位线。可选地，行线可以是位线，并且列线可以是字线。在下文中，行线是第一字线WL1至第三字线WL3，并且列线是第一位线BL1至第三位线BL3。所述半导体存储器可以包括相应地被设置在位线BL1至BL3与字线WL1至WL3之间的存储单元MC11至MC33。例如，存储单元MC11至MC33可以位于位线BL1至BL3与字线WL1至WL3之间的相应交叉处。存储单元MC11至MC33可以分别包括选择器件S11至S33和存储器件M11至M33，选择器件S11至S33中的每一个与存储器件M11至M33中的对应一个串联耦接。选择器件S11至S33中的每一个可以被电耦接至字线WL1至WL3中的对应一个。存储器件M11至M33中的每一个可以被电耦接至位线BL1至BL3中的对应一个。存储器件M11至M33中的每一个可以被配置为储存数据并且包括可变电阻材料。存储器件M11至M33中的每一个可以是电阻变化层、相变层、磁性隧道结层等。取决于储存在其中的数据，存储器件M11至M33中的每一个可以具有第一电阻状态(例如，低电阻状态)或第二电阻状态(例如，高电阻状态)。例如，存储器件M11至M33中的每一个在其处于结晶态时可以具有低电阻值，而在其处于非晶态时可以具有高电阻值。在下文中，低电阻状态被称为置位(SET)状态，而高电阻状态被称为复位(RESET)状态。选择器件S11至S33中的每一个可以被配置为选择存储单元MC11至MC33中的对应一个，并且可以包括开关材料。选择器件S11至S33中的每一个可以是金属绝缘体转变(MIT)器件、混合离子电子导电(MIEC)器件、双向阈值开关(OTS)器件等。当选择器件S11至S33包括OTS器件时，在选择器件S11至S33被关断的情况下，少量电流会流过选择器件S11至S33。当被施加的电流量超过阈值时，选择器件S11至S33可以被接通。当选择器件S11至S33被接通时，流过存储单元MC11至MC33的电流量可以急剧增加，并且两端处的电压电平可以急剧降低。即，可能会发生骤回现象。然而，存储单元MC11至MC33中的每一个的形状和配置可以变化。例如，在存储单元MC11至MC33中可以省略选择器件S11至S33，或者，在存储单元MC11至MC33中，选择器件S11至S33的位置与存储器件M11至M33的位置可以调换。另外，所述半导体存储器还可以包括被配置为控制位线BL1至BL3的列电路110和被配置为控制字线WL1至WL3的行电路120。行电路120可以是行解码器、字线解码器、字线驱动器等。根据行地址R_ADD，行电路120可以选择字线WL1至WL3中的一个(例如，字线WL2)。列电路110可以是列解码器、位线解码器、位线驱动器等。根据列地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作包括多个位线和多个字线的电子器件的方法，该方法包括：/n将来自所述多个字线的选中的字线预充电至第一电压；/n将来自所述多个字线的未选中的字线预充电至第二电压；/n使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置；/n向来自所述多个位线的选中的位线施加位线电压；/n利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平；/n将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路；以及/n将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。/n

【技术特征摘要】
20190503 KR 10-2019-00524901.一种操作包括多个位线和多个字线的电子器件的方法，该方法包括：
将来自所述多个字线的选中的字线预充电至第一电压；
将来自所述多个字线的未选中的字线预充电至第二电压；
使所述选中的字线和所述未选中的字线浮置；
向来自所述多个位线的选中的位线施加位线电压；
利用在未选中的位线与所述未选中的字线之间流动的第一泄漏电流来调整所述未选中的字线的电压电平；
将所述选中的字线和所述未选中的字线耦接到感测电路；以及
将所述选中的字线的电压电平与所述未选中的字线的电压电平进行比较。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电压和所述第二电压中的每一个均具有负电平，所述第二电压大于所述第一电压。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压电平的比较包括：基于所述未选中的字线的电压电平来感测所述选中的字线的电压电平，以读取选中的存储单元的数据，所述选中的存储单元被耦接在所述选中的位线与所述选中的字线之间。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在所述未选中的位线与所述选中的字线之间流动的第二泄漏电流来改变所述选中的字线的电压电平。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，基于由于所述第一泄漏电流而增大的所述未选中字线的电压电平来感测所述选中的字线的电压电平。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压电平的比较包括：
将所述感测电路的第一输入端子预充电至第一参考电压；
将所述感测电路的第二输入端子预充电至所述第一参考电压；
通过将所述选中的字线耦接到所述第一输入端子来调整所述第一输入端子的电压电平；
通过将所述第二输入端子耦接到所述未选中的字线，将所述第二输入端子的电压电平调整为第二参考电压，所述第二参考电压大于所述第一参考电压；以及
将所述第一输入端子的电压电平与所述第二参考电压进行比较。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二电压的电平等于或大于所述第一参考电压的电平。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到选中的存储单元的电压小于复位阈值电压，所述选中的存储单元被耦接在所述选中的位线与所述选中的字线之间。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，施加到未选中的存储单元的电压小于置位阈值电压，所述未选中的存储单元被耦接在所述未选中的位线与所述未选中的字线之间。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压电平的比较包括：当所述选中的字线被耦接到所述感测电路时，将所述未选中的字线耦接到所述感测电路。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电压电平的比较包括：在所述未选中的字线被耦接到所述感测电路之后，将所述选中的字线耦接到所述感测电路。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炯东，金泰勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR