【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在半导体器件转移期间控制转移参数的方法和装置相关专利申请的交叉引用本PCT国际专利申请要求享有于2018年9月28日提交的标题为“MethodandApparatustoControlTransferParametersDuringTransferofSemiconductorDevices”的美国专利申请16/146,833的优先权。本申请以引用方式将以下专利申请并入:于2014年11月12日提交的标题为“ApparatusforTransferofSemiconductorDevices”的美国专利申请14/939,896,该专利现在被公开为美国专利9.633,883;于2016年11月3日提交的标题为“CompliantNeedleforDirectTransferofSemiconductorDevices”的美国专利申请15/343,055,该专利现在被公开为美国专利10,141,215;于2016年11月23日提交的标题为“Top-SideLaserforDirectTransferofSemiconductorDevices”的美国专利申请15/360,471;于2016年11月23日提交的标题为“PatternArrayDirectTransferApparatusandMethodTherefor”的美国专利申请15/360,645;以及于2017年1月18日提交的标题为“FlexibleSupportSubstrateforTransferofSemiconductorDevices”的美国专利申请15/409,409 ...
【技术保护点】
1.一种用于执行将一个或多个半导体器件管芯从晶圆胶带直接转移到衬底的装置,所述装置包括:/n第一框架,所述第一框架被构造成保持所述晶圆胶带;/n第二框架,所述第二框架被构造成固定所述衬底,使得转移表面被设置成面向设置在所述晶圆胶带的第一侧面上的所述一个或多个半导体器件管芯;/n一根或多根转移线材,所述一根或多根转移线材被设置成与所述晶圆胶带的与所述第一侧面相背对的第二侧面相邻,所述一根或多根转移线材的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;/n一个或多个稳定器,所述一个或多个稳定器被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述一个或多个稳定器的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;以及/n顶针致动器,所述顶针致动器被构造成将所述一根或多根转移线材和所述一个或多个稳定器致动到管芯转移位置,在所述管芯转移位置处至少一根转移线材和至少一个稳定器压在所述晶圆胶带的所述第二侧面上,以压住所述一个或多个半导体器件管芯中的半导体器件管芯使其与所述衬底的所述转移表面接触。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180928 US 16/146,8331.一种用于执行将一个或多个半导体器件管芯从晶圆胶带直接转移到衬底的装置,所述装置包括:
第一框架,所述第一框架被构造成保持所述晶圆胶带;
第二框架,所述第二框架被构造成固定所述衬底,使得转移表面被设置成面向设置在所述晶圆胶带的第一侧面上的所述一个或多个半导体器件管芯;
一根或多根转移线材,所述一根或多根转移线材被设置成与所述晶圆胶带的与所述第一侧面相背对的第二侧面相邻,所述一根或多根转移线材的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;
一个或多个稳定器,所述一个或多个稳定器被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述一个或多个稳定器的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延伸;以及
顶针致动器,所述顶针致动器被构造成将所述一根或多根转移线材和所述一个或多个稳定器致动到管芯转移位置,在所述管芯转移位置处至少一根转移线材和至少一个稳定器压在所述晶圆胶带的所述第二侧面上,以压住所述一个或多个半导体器件管芯中的半导体器件管芯使其与所述衬底的所述转移表面接触。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置包括两个或多个稳定器。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成独立且同时地致动所述两个或多个稳定器。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成在第一方向上致动所述一根或多根转移线材和所述一个或多个稳定器,所述第一方向朝向所述晶圆胶带。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述顶针致动器被构造成在所述第一方向上同时致动并且在第二方向上循序致动所述一个或多个转移顶针和所述一个或多个稳定器,所述第二方向与所述第一方向相反。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述顶针致动器包括机电致动器。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述装置还包括真空单元,所述真空单元被设置成与所述晶圆胶带的所述第二侧面相邻,所述真空单元被构造成在所述一个或多个半导体器件管芯的所述直接转移的至少一部分期间接合,其中所述真空单元被构造成保持接合直到从所述晶圆胶带释放所述半导体器件管芯。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述真空单元被构造成使所述晶圆胶带在所述直接转移期间的振荡最小化。
9.一种用于执行将一个或多个半导体器件管芯从晶圆胶带直接转移到衬底的装置,所述装置包括:
第一框架,所述第一框架被构造成保持所述晶圆胶带;
第二框架,所述第二框架被构造成固定所述衬底,使得转移表面被设置成面向设置在所述晶圆胶带的第一侧面上的所述一个或多个半导体器件管芯;
至少一根转移线材,所述至少一根转移线材被设置成与所述晶圆胶带的与所述第一侧面相背对的第二侧面相邻,所述至少一根转移线材的长度在朝向所述晶圆胶带的方向上延...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·温特,C·彼得森,A·哈斯卡,
申请(专利权)人:罗茵尼公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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