【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于转移半导体器件的可变节距多针头相关专利申请的交叉引用本PCT国际专利申请要求于2018年9月28日递交的申请号为16/147,055、名称为″VariablePitchMulti-NeedleHeadforTransferofSemiconductorDevices(用于转移半导体器件的可变节距多针头)″的美国专利申请的优先权的权益。下列专利申请的全部内容通过引用结合在本申请中:于2015年11月12日递交的申请号为14/939,896、名称为″ApparatusforTransferofSemiconductorDevices(用于转移半导体器件的装置)″、现已发布为美国专利号9,633,883的美国专利申请和于2018年5月12日递交的申请号为15/978,094、名称为″MethodandApparatusforMultipleDirectTransfersofSemiconductorDevices(用于直接转移多个半导体器件的方法和装置)″、现已发布为美国专利号10,410,905的美国专利申请。
技术介绍
半导体器件是利用半导体材料(例如,硅、锗、砷化镓等)的电气部件。半导体器件通常被制造成单个分立器件或集成电路(IC)。单个分立器件的示例包括电可致动元件,例如,发光二极管(LED)、二极管、晶体管、电阻器、电容器、熔断器等。半导体器件的制造通常涉及包含众多步骤的复杂制造流程。制造的成品是″封装的″半导体器件。此处修饰语″封装的″是指成品中内置的封闭和保护特征以及使包装中的器件能够结合到最终电路中的接口。< ...
【技术保护点】
1.一种用于执行多个半导体器件管芯中的半导体器件管芯从第一基板到第二基板的直接转移的装置,所述第一基板具有第一侧和第二侧,并且所述半导体器件管芯被设置在所述第一基板的所述第一侧,所述装置包括:/n第一框架,用于保持所述第一基板;/n第二框架,用于保持与所述第一基板的所述第一侧相邻的所述第二基板;以及/n转移机构,包括被设置成与所述第一框架相邻并朝向所述第一基板的所述第二侧的方向延伸的多根冲击丝,其中,所述多根冲击丝被布置成多节距结构,所述多节距结构使所述多根冲击丝彼此均匀间隔。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180928 US 16/147,0551.一种用于执行多个半导体器件管芯中的半导体器件管芯从第一基板到第二基板的直接转移的装置,所述第一基板具有第一侧和第二侧,并且所述半导体器件管芯被设置在所述第一基板的所述第一侧,所述装置包括:
第一框架,用于保持所述第一基板;
第二框架,用于保持与所述第一基板的所述第一侧相邻的所述第二基板;以及
转移机构,包括被设置成与所述第一框架相邻并朝向所述第一基板的所述第二侧的方向延伸的多根冲击丝,其中,所述多根冲击丝被布置成多节距结构,所述多节距结构使所述多根冲击丝彼此均匀间隔。
2.根据权利要求1所述的装置,进一步包括被配置用于将所述多根冲击丝布置成第一矩阵结构的引导头。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一矩阵结构是mxn矩阵,并且m和n包括任何实数。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置包括一个或多个传感器,以确定一个或多个部件之间的间隔,所述部件至少包括所述多根冲击丝、所述半导体器件管芯以及所述第二基板上的电路迹线。
5.根据权利要求2所述的装置,其中,所述引导头是第一引导头并且被配置为可与第二引导头互换。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第二引导头被配置用于将所述多根冲击丝布置成第二矩阵结构,所述第二矩阵结构不同于所述第一矩阵结构。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多根冲击丝被配置为布置成基本上圆形的图形。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多根冲击丝被配置为布置成节距匹配结构。
9.一种用于将半导体器件管芯从第一基板转移到设置在第二基板上的电路迹线的直接转移装置,所述第一基板具有第一侧和第二侧,并且所述半导体器件管芯被设置在所述第一基板的所述第一侧,所述直接转移装置包括:
点矩阵转移头,包括:
冲击丝壳体,和
设置在所述冲击丝壳体内并且延伸出所述冲击丝壳体的多根冲击丝,所述多根冲击丝被设置成使得所述多根冲击丝被布置成矩阵结构,所述矩阵结构是节距匹配结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员:C·彼得森,A·哈斯卡,
申请(专利权)人:罗茵尼公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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