【技术实现步骤摘要】
一种晶圆腐蚀用具
本技术涉及晶体材料缺陷表征
,尤其涉及一种晶圆腐蚀用具。
技术介绍
晶圆是指半导体集成电路制作所用的晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,晶圆是制造半导体芯片的基本材料,缺陷选择性腐蚀技术是表征晶圆及外延材料的缺陷种类和分布的常见方法。该技术通常要求在一定的温度条件下使用腐蚀液对样品腐蚀一段时间,然后通过在光学显微镜下观察样品表面的腐蚀坑而获得材料缺陷的种类与分布的信息。目前该项技术通常是将样品放入耐腐蚀容器中在传统加热炉中进行加热、腐蚀。在对晶圆样本加热腐蚀的过程中存在以下问题:1、在对晶圆进行加热腐蚀后,晶圆正面的待腐蚀层被腐蚀,但是晶圆背面在腐蚀的过程中也会造成不同程度的破坏,无法再次利用,只能报废处理,大大提高了晶圆的检验成本和工艺开发成本。2、在使用加热炉对晶圆进行腐蚀时,取出或者放入晶圆样品均不是很方便,如有操作操作不当,还会对操作人员造成危害。3、腐蚀过程中所使用的腐蚀剂需要完全浸没晶圆样品,使用的腐蚀剂的容量较大,提高了腐蚀剂的使用量,进一步提高了检验成本。技术内 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆腐蚀用具,其特征在于,放置在盛放有腐蚀剂的容器(1)内,所述容器(1)放置在加热炉体(2)内,所述腐蚀用具包括镍坩埚(3)和定位部件(4),所述镍坩埚(3)的上部设置有容纳所述晶圆(5)的开口槽(31),所述开口槽(31)上端的外周方向连接所述定位部件(4),所述定位部件(4)压紧定位在所述晶圆(5)的外缘。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆腐蚀用具,其特征在于,放置在盛放有腐蚀剂的容器(1)内,所述容器(1)放置在加热炉体(2)内,所述腐蚀用具包括镍坩埚(3)和定位部件(4),所述镍坩埚(3)的上部设置有容纳所述晶圆(5)的开口槽(31),所述开口槽(31)上端的外周方向连接所述定位部件(4),所述定位部件(4)压紧定位在所述晶圆(5)的外缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀用具,其特征在于:所述镍坩埚(3)的周向设置有多个支撑吊耳(32),所述支撑吊耳(32)与所述镍坩埚(3)一体成型。
3.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀用具,其特征在于:所述镍坩埚(3)的中心设置有空心腔体(33),所述空心腔体(33)设置在所述开口槽(31)的下方且与开口槽(31)相连通,所述空心腔体(33)的孔径小于所述晶圆(5)的直径。
4.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀用具,其特征在于:所述镍坩埚(3)设置...
【专利技术属性】
技术研发人员:张晓洪,钮应喜,程海英,刘洋,郗修臻,左万胜,钟敏,史田超,史文华,袁松,
申请(专利权)人:芜湖启迪半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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