发光二极管芯片及其制造方法技术

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极，所述P型半导体层、有源层和所述N型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型电极与所述N型半导体层电连接，所述P型电极与所述P型半导体层电连接，所述发光二极管芯片还包括分别位于所述N型电极和所述P型电极上的焊点，所述焊点至少包括SnAgCu层。该发光二极管芯片可以避免锡膏涂覆在电路板上，造成短路的问题。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片及其制造方法
本公开涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管（英文：LightEmittingDiode，简称：LED）是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED制作过程中的初级成品。芯片包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层。且N型半导体层上设有N型电极，P型半导体层上设有P型电极。相关技术中，通常采用回流焊的方式将芯片贴装在电路板上，回流焊的过程如下：首先在电路板上涂覆锡膏，再把芯片放到相应位置，锡膏具有一定的粘性，可以使得芯片固定在电路板上。然而，涂覆在电路板上的锡膏易流动，N型电极和P型电极之间易通过流动的锡膏相互接触，造成短路。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制造方法，可以避免锡膏涂覆在电路板上，造成短路的问题。所述技术方案如下：一方面，提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极，所述P型半导体层、有源层和N型半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极，所述P型半导体层、有源层和所述N型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型电极与所述N型半导体层电连接，所述P型电极与所述P型半导体层电连接，其特征在于，/n所述发光二极管芯片还包括分别位于所述N型电极和所述P型电极上的焊点，所述焊点至少包括SnAgCu层。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极和P型电极，所述P型半导体层、有源层和所述N型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N型电极与所述N型半导体层电连接，所述P型电极与所述P型半导体层电连接，其特征在于，
所述发光二极管芯片还包括分别位于所述N型电极和所述P型电极上的焊点，所述焊点至少包括SnAgCu层。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述SnAgCu层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层中的Cu原子个数占比大于所述第二子层中的Cu原子个数占比，所述第二子层中的Cu原子个数占比大于所述第三子层中的Cu原子个数占比；
所述第三子层中的Sn原子个数占比大于所述第二子层中的Sn原子个数占比，所述第二子层中的Sn原子个数占比大于第一子层中的Sn原子个数占比。


3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二子层的厚度大于所述第一子层，且所述第二子层的厚度大于所述第三子层的厚度。


4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一子层的厚度为10~2500nm，所述第二子层的厚度2000~20000nm，所述第三子层的厚度为750~850nm。


5.根据权利要求1至4任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述焊点还包括过渡层，所述过渡层位于所述S...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，吴志浩，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33